Дебаевская длина
Cтраница 3
Параметры плазмы - плотность и температура - через дебаевскую длину б сопоставляются с характерным размером L изучаемой системы. [31]
Если промежуточный слой полупроводника сделать сильно вырожденным, то дебаевская длина будет очень мала, порядка 10 см. При такой длине токи будут обусловливаться туннельным эффектом из металла в зону проводимости полупроводника и барьера практически не будет. [32]
 |
Принципиальная схема измерительной установки. [33] |
Характеристикой процесса диффузии является не диффузионная длина, а дебаевская длина экранирования. При концентрациях носителей заряда, характерных для таких материалов, как германий и кремний, дебаевская длина экранирования весьма мала ( 10 - 6 - 10 - 4 см), и, следовательно, процессы диффузии носителей заряда при их неоднородной генерации можно не учитывать. [34]
Величина D0 составляет, как мы видели, несколько дебаевских длин Д a D. Подставляя D в выражение (3.56), находим, что толщина наклонного двойного слоя Пц aRt, т.е. составляет несколько ларморовских радиусов ионов. Таким образом, сделанное выше предположение о том, что толщина двойного слоя велика по сравнению с ларморовским радиусом ионов, по-видимому, выполняется. [35]
Z - д - так называемая длина экранирования, или дебаевская длина, соответствует расстоянию, на котором потенциал спадает в е раз. [36]
Отметим, что при концентрациях 10 - 3 М и меньше дебаевская длина существенно превышает кристаллографические и стоксовские радиусы простых неорганических ионов ( см. табл. VIII. Следовательно, при этих концентрациях сомножитель ехрха / ( 1 ха) близок к единице. [37]
Примем следующие основные предположения: 1) толщина полупроводника значительно больше дебаевской длины экранирования L; 2) на поверхности полупроводника существуют центры одного сорта; 3) заполнение адсорбционных центров мало. [38]
За один период плазменных колебаний заряженная частица перемещается на одну дебаевскую длину. [39]
Уравнение ( 52 - 20) показывает, что благодаря зависимости дебаевской длины Я от состава раствора емкость диффузного слоя пропорциональна квадратному корню из ионной силы. Для 1 - 1 -электролитов при 25 С емкость диффузного слоя при изменении потенциала Фз от 0 до 0 1 В увеличивается примерно в 3 6 раза. [40]
Величина Ln имеет размерность длины и носит название длины экранирования или дебаевской длины ( по имени физика Дебая, впервые получившего аналогичное выражение для электролитов), Физический смысл дебаевской длины - расстояние, на котором потенциал в веществе со свободными носителями изменяется в е раз за счет экранирующего действия зарядов носителей. [41]
Уравнение ( 52 - 20) показывает, что благодаря зависимости дебаевской длины Я от состава раствора емкость диффузного слоя пропорциональна квадратному корню из ионной силы. Для 1 - 1 -электролитов при 25 С емкость диффузного слоя при изменении потенциала Фз от 0 до 0 1 В увеличивается примерно в 3 6 раза. [42]
При этих условиях заряд распределяется между серией дебаевских длин так, что наименьшая дебаевская длина, расположенная у поверхности, содержит половину полного заряда. [43]
Поскольку это соотношение выполняется для областей плазмы с размером, большим нескольких дебаевских длин, и расположенных вдалеке от стенок, периодические системы широко используются. [44]
В обоих случаях приложенное поле было больше, чем поле в пределах последней дебаевской длины, и достаточно велико, чтобы ввести в действие концентрации носителей, необходимые для образования больших импульсных токов, ограниченных объемным зарядом. Импульсный характер токов, ограниченных объемным зарядом, определяется тем, что начальный ток соответствует ограниченному объемным зарядом току в кристалле без уровней прилипания. По мере захвата свободных носителей большой начальный ток уменьшается до относительно малого стационарного значения, соответствующего кристаллу с уровнями прилипания. [45]
Страницы: 1 2 3 4