Cтраница 2
Выше было показано, что дебаевская длина экранирования / D пропорциональна произведению характерной скорости на характерное время. [16]
При сравнении выражения (5.26) с дебаевской длиной экранирования (5.12), видно, что глубина проникновения контактного поля может быть значительно больше дебаевской длины. Это связано с тем, что контактная разность потенциалов обычно больше k9T и зависит от разности работ выхода металла и полупроводника, которая в свою очередь определяется положением уровней Ферми в металле и полупроводнике. Положением уровня Ферми в полупроводниках можно управлять и, следовательно, изменять согласно формуле (5.26) глубину проникновения контактного поля в полупроводник. Чем меньше степень легирования полупроводника, а значит, ниже уровень Ферми в нем и чем больше разность термодинамических работ выхода электронов из металла и полупроводника, тем больше глубина проникновения контактного поля в полупроводник. Уже при разности работ выхода - 1 эВ для кремния с концентрацией примеси Nd 1017 см 3 глубина проникновения контактного поля составляет около 15 мкм, что в десять раз больше дебаевской длины. Очевидно, что в собственном полупроводнике глубина проникновения контактного поля больше, чем в примесном. [17]
При сравнении выражения (5.38) с дебаевской длиной экранирования (5.14), видно что глубина проникновения контактного поля может быть значительно больше дебаевской длины. Это связано с тем, что контактная разность потенциалов обычно больше k0T и зависит от разности работ выхода металла и полупроводника, которая в свою очередь определяется положением уровней Ферми в металле и полупроводнике. Положением уровня Ферми в полупроводниках можно управлять и, следовательно, изменять согласно формуле (5.38) глубину проникновения контактного поля в полупроводник. Чем меньше степень легирования полупроводника, а значит, ниже уровень Ферми в нем и чем больше разность термодинамических работ выхода электронов из металла и полупроводника, тем больше глубина проникновения контактного поля в полупроводник. Уже при разности работ выхода - 1 эВ для кремния с концентрацией примеси Nd 10 см-3 глубина проникновения контактного поля составляет около 15 мкм, что в десять раз больше дебаевской длины. Очевидно, что в собственном полупроводнике глубина проникновения контактного поля больше, чем в примесном. [18]
При сравнении выражения (5.26) с дебаевской длиной экранирования (5.12), видно, что глубина проникновения контактного поля может быть значительно больше дебаевской длины. Это связано с тем, что контактная разность потенциалов обычно больше k9T и зависит от разности работ выхода металла и полупроводника, которая в свою очередь определяется положением уровней Ферми в металле и полупроводнике. Положением уровня Ферми в полупроводниках можно управлять и, следовательно, изменять согласно формуле (5.26) глубину проникновения контактного поля в полупроводник. Чем меньше степень легирования полупроводника, а значит, ниже уровень Ферми в нем и чем больше разность термодинамических работ выхода электронов из металла и полупроводника, тем больше глубина проникновения контактного поля в полупроводник. Уже при разности работ выхода - 1 эВ для кремния с концентрацией примеси Nd 1017 см 3 глубина проникновения контактного поля составляет около 15 мкм, что в десять раз больше дебаевской длины. Очевидно, что в собственном полупроводнике глубина проникновения контактного поля больше, чем в примесном. [19]
Поскольку обычно п0 п, то дебаевская длина в примесных полупроводниках значительно меньше, чем в собственных. Например, при л0 101в см 3 из ( 1 - 90а) и для кремния, и для германия получаем 1D ж 0 04 мкм. [20]
Ионизованный газ называют плазмой, если дебаевская длина экранирования заряженных частиц мала по сравнению с линейными размерами рассматриваемого объема. В сильноионизованном газе соударения между заряженными частицами ( кулоновские соударения) преобладают над их соударениями с нейтралами. [21]
Наконец, плотность заряда на каждой последующей дебаевской длине уменьшается как квадрат основания натуральных логарифмов. [22]
Поскольку обычно я0 п -, то дебаевская длина в примесных полупроводниках значительно меньше, чем в собственных. Как видим, в обычных полупроводниках поле проникает на ничтожную глубину порядка 0 1 мк и менее. [23]
При этих условиях заряд распределяется между серией дебаевских длин так, что наименьшая дебаевская длина, расположенная у поверхности, содержит половину полного заряда. [24]
Это верно для пленок, толщина которых больше дебаевской длины экранирования. [25]
Предположим, что расстояния между частицами много больше эквивалентной дебаевской длины экранирования KD [ е0 / сГ / ( лейе2) ] 1 2 для электронной плотности пео. [26]
Коэффициент активности зависит от состава раствора через дебаевскую длину Я. [27]
Речь идет о расстояниях, намного превышающих дебаевскую длину. [28]
Коэффициент активности зависит от состава раствора через дебаевскую длину К. [29]
Из приведенного неравенства следует, что на дебаевской длине концентрация примесей должна сильно измениться. Если концентрация примесей на границе перехода меняется таким образом, что dN / dx - N / l: , то переход обладает фиксированной границей и хорошими выпрямляющими свойствами. Если градиент концентрации примеси очень мал, то в окрестности границы двойной электрический слой не образуется и / я-переход отсутствует. [30]