Длительность - импульс - порядок - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Скупой платит дважды, тупой платит трижды. Лох платит всю жизнь. Законы Мерфи (еще...)

Длительность - импульс - порядок

Cтраница 1


1 Скорость сверхизлучения и скорость обычного спонтанного излучения для системы из N 20 атомов ( с разрешения Д. Джеймса. [1]

Длительность импульса порядка 1 / N / 3 и может быть намного короче естественного атомного времени жизни.  [2]

3 Графики спектрального состава прямоугольных. а - видеоимпульсов. б - радиоимпульсов. [3]

При длительности импульсов порядка единиц микросекунд требуемая полоса пропускания составляет несколько мегагерц.  [4]

5 Схема импульсной обработки материалов электрической искрой. а - принципиальная схема ( I - источник постоянного тока. R - сопротивление. В - ванна с жидким диэлектриком. С - конденсатор. б - схема действия электрода ( 1 - электрод. г - отрицательный провод. 3 - жидкий диэлектрик. 4 - положительный провод. S - искровой промежуток. б - обрабатываемое изделие. 7 - выброшенные частицы. 8 - поверхность жидкого диэлектрика. [5]

Искровые промежутки составляют примерно 10 - 200 мкм, длительность импульса порядка 10 - сек. Отверстия в изделиях из твердых материалов образуются вследствие воздействия серии импульсов. Интегральный эффект эрозии ( см. Эрозия металлов) при электроискровой обработке представляет собой сумму эрозионного эффекта отдельных импульсов. Электр, эрозии присущ эффект полярности, заключающийся в превышении эрозии одного электрода над эрозией другого. Установка для электроискровой размерной обработки ( рис. 3) состоит из генератора униполярных импульсов электр. Электр, искрой обрабатывают с достаточной точностью единичные изделия и большие их партии. При обработке магнитным импульсом, к-рую используют в основном для штампования изделий, заготовку помещают в соленоид, через к-рый пропускают электр. При быстром изменении напряженности маги, поля выталкивающая сила достаточна для того, чтобы вогнать заготовку в полость матрицы - осуществить штампование. Чем больше скорость изменения величины тока в соленоиде, тем быстрее изменяется напряженность магн. Для электромагнитного штампования используют энергию разряжающегося конденсатора. К преимуществам магнитоимпульсной обработки относится несложность оборудования, к недостаткам - невозможность выполнения мы. При обработке взрывом заряд размещают непосредственно у заготовки или на некотором расстоянии от нее.  [6]

В импульсном режиме получено излучение мощностью до 100 вт при длительностях импульса порядка 10 - 8 и 10 - 6 сек при комнатной и при температуре жидкого азота соответственно. В непрерывном режиме мощность при гелиевых температурах достигает 10 вт.  [7]

В настоящее время получена импульсная мощность излучения до 1 МВт при длительности импульса порядка долей микросекунды. Ширина линии генерации находится в пределах 5 - 10 - 3 - 2 - 10 - 2 мкм.  [8]

Пиковая мощность излучения жидкостных ОКГ в настоящее время доведена до 1 Мет при длительности импульса порядка долей микросекунды. Частота следования импульсов составляет один импульс в минуту. Ширина линии генерации находится в пределах 50 - 200 А.  [9]

10 Комбинационные сдвнгв частот для некоторых молекул длины воли рассеянного излучения лазеров. [10]

С помощью метода лазерного зондирования атмосферы при частоте следования импульсов 103 - 104 Гц и длительности импульса порядка 10 - 8 с можно получать до 10 профилей аэрозольных слоев в секунду. Однако для регистрации находящихся в атмосфере вредных газов этот метод не пригоден, так как длина волны рассеянного излучения совпадает с длиной волны падающего излучения. Для этих целей применяется метод, использующий эффект комбинационного рассеяния излучения.  [11]

При помощи трансформаторов Тр3 и Тр обеспечивается крутизна переднего фронта импульсов порядка 1 5 мксек и длительность импульсов порядка 4 - 5 мксек.  [12]

Большое практическое значение в технике СВЧ имеют скоростные осциллографы, позволяющие наблюдать и фотографировать однократные и многократные импульсные процессы с длительностью импульсов порядка нескольких наносекунд и обладающие полосой пропускания в несколько тысяч мегагерц.  [13]

Такой способ формирования импульсов с помощью транзисторов П201, П4 позволяет получить амплитуду импульсов до 3 - 10 а ( при напряжении источника 15 - 40 в) при длительности импульсов порядка 10 - 15 мксек ( длительность фронтов около 5 мксек) и частоте повторения импульсов около 3 - 4 кгц.  [14]

15 Схема метода ЛИВС. 1 - мно. [15]



Страницы:      1    2    3