Cтраница 3
При ФИМ детектирование сигнала как правило, осуществляется путем последовательного преобразования ФИМ в ШИМ, либо в АИМ, после чего в качестве составной части детектора можно использовать фильтр нижних частот. Определим теперь количество телефонных каналов, которое можно организовать в системах с ВРК. Отметим, что приводимые ниже рассуждения справедливы только для существующей аппаратуры РРЛ, в которой принята длительность импульсов порядка микросекунд. [31]
Особый интерес к карбиду кремния проявляется в последние годы в связи с постановкой работ по выращиванию кристаллов SiC. Как только были достигнуты первые успехи в этой области, сразу же определился ряд направлений технического использования кристаллов SiC. Были разработаны высокотемпературные диоды на обратные напряжения порядка 300 в, маломощные источники света, созданы импульсные источники света, позволяющие получать длительности импульса порядка наносекунд. В литературе имеются сведения об изготовлении канального транзистора на основе карбида кремния. [32]
Трекслер [262] произвел исследование отражений от Луны при импульсном режиме работы на частоте 198 Мгц. Коэффициент направленного действия антенны равен 40 дб ширина луча 1 4, мощность передатчика 1 2 Мет, длительность импульса 10 мксек. На графике рис. 26.17, б представлена зависимость относительной величины энергии принимаемого сигнала от времени, начало отсчета которого совпадает с моментом прихода сигнала. Результаты измерений, произведенных Япли [279] на частоте 2 86 Ггц с помощью 15 3 - ж параболоида и передатчика мощностью 2 3 Мет при длительности импульса порядка 2 мксек, показывают, что ослабление сигнала при распространении до Луны и обратно равно 200 дб. [33]
Следует отметить, что излучение инжекционного ОКГ поляризовано. Обычно инжекционные ОКГ работают в импульсном режиме, причем максимальная мощность в импульсе ограничивается перегревом кристалла ( полупроводника) и зависит от рабочей температуры и длительности импульсов. Для уменьшения перегрева необходимо снижать омические потери в полупроводнике и в контактах, улучшать теплоотвод и уменьшать поглощение излучения в полупроводнике. В настоящее время при использовании GaAs получены импульсная мощность до 100 Вт при комнатной температуре и длительности импульса 10 - 8 с или при азотной температуре и длительности импульса порядка нескольких микросекунд. [34]
Некоторые применения оптически индуцированных рентгеновских импульсов приведены в [ 61, они использовались для спектроскопии сильно возбужденных ионов с временным разрешением 400 пс. В цитированной уже работе [4] сообщается о первом успешном эксперименте по пикосекундной электрохронографии. Электроннограмма тонкой поликристаллической пленки алюминия была получена с временным разрешением 20 пс; таким образом удалось наблюдать быстрый фазовый переход, индуцированный мощным лазерным импульсом. Первые демонстрации выглядят обнадеживающими, и сейчас многие лаборатории занимаются совершенствованием пикосекундных рентгеновских и электронных источников, использующих лазерное возбуждение. Имеются все основания ожидать здесь быстрого прогресса, однако для создания эффективных спектроскопических и диагностических систем нужна адекватная регистрирующая аппаратура. Заметим вместе с тем, что прогрессируют и методы получения коротких рентгеновских импульсов, основанные на иных идеях. В частности, в [7] обсуждаются источники синхротронного излучения с длительностью импульса порядка 10 пс. [35]