Дно - зона - проводимость
Cтраница 2
 |
Параметры зоны проводимости в жидком и твердом криптоне, полученные из исследования примесных состояний молекулы СН31. [16] |
У соответствует энергии дна зоны проводимости относительно уровня вакуума. [17]
Ес - энергия дна зоны проводимости и kT обозначает больцмановскую тепловую энергию. [18]
 |
Равновесные энергетические уровни в диоде Исаки. [19] |
Ферми лежит выше дна зоны проводимости в n - области и ниже верха валентной зоны в р-области. [20]
В результате разрывов дна зоны проводимости и потолка валентной зоны высота потенциальных барьеров для электронов и дырок в гетеропереходе оказывается различной. Это является особенностью гетеропереходов, обусловливающей специфические свойства гетеропереходов в отличие от p - n - переходов, которые формируются в монокристалле одного полупроводника. [21]
В результате разрывов дна зоны проводимости и потолка валентной зоны высота потенциальных барьеров для электронов и дырок в гетеропереходе оказывается различной. Это является особенностью гетеропереходов, обусловливающей специфические свойства гетеропереходов в отличие от гомопереходов. [22]
РЭЯ, положение дна зоны проводимости при этом также изменяется мало. Однако для заряженного кластера 3 при увеличении ширины валентной зоны за счет включения большего числа атомов существенно изменяются как энергия Е, так и положение дна зоны проводимости. Менее ионными получаются заряды на атомах. [23]
В результате разрывов дна зоны проводимости и потолка валентной зоны высота потенциальных барьеров для электронов и дырок в гетеропереходе оказывается различной. Это является особенностью гетеропереходов, обусловливающей специфические свойства гетеропереходов в отличие от р-ге-переходов, которые формируются в монокристалле одного полупроводника. [24]
Ферми совпадает с дном зоны проводимости. [25]
 |
Поверхности пос - тоянной энергии в германии. [26] |
Минимальное расстояние между дном зоны проводимости и потолком валентной зоны соответствует расстояниям, лежащим в различных точках зоны Бриллюэна ( рис. 39), что имеет существенное значение для целого ряда физических явлений. Именно это минимальное расстояние и называется шириной запрещенной зоны, определяющей протекание всех процессов, связанных с термическим возбуждением. [27]
Энергетический интервал между дном зоны проводимости и донорным уровнем составляет энергию активации доноров Abj, величина которой зависит от природы полупроводника и примесей. [28]
Эффективные массы на дне зоны проводимости анизотропны, при этом анизотропия масс оказывается такой же, как и в минимуме X JOO - сфалерита. [29]
Ест - энергетические уровни дна зоны проводимости и СТ-экситона. [30]
Страницы: 1 2 3 4