Cтраница 3
Таким образом, вблизи дна зоны проводимости или около потолка валентной зоны мы можем записать плотность квантовых состояний в энергетическом представлении, щ оно может оказаться бессодержательным, если мы не располагаем экспериментальными данными о значении входящей в него эффективной массы. [31]
Таким образом, вблизи дна зоны проводимости или около потолка валентной зоны мы можем записать плотность квантовых состояний в энергетическом представлении, по оно может оказаться бессодержательным, если мы не располагаем экспериментальными данными о значении входящей в него Эффективной массы. [32]
Здесь энергия отсчитывается от дна зоны проводимости, квантовое число. [33]
За нуль принята энергия дна зоны проводимости; направление к валентной зоне считается отрицательным. [34]
Здесь ес - энергия дна зоны проводимости; % v - энергия потолка валентной зоны; т % т % - эффективные массы дырки и электрона. [35]
Однако если немного ниже дна зоны проводимости имеется заполненный локальный уровень D, то тепловой энергии может хватить на то, чтобы электрон с этого уровня перешел в зону проводимости. Тогда в зоне проводимости окажется носитель тока и у кристалла появятся электропроводящие свойства. [36]
Пунктирной чертой обозначено положение дна зоны проводимости ное на основе той же модели. [38]
![]() |
Объем слоя в зоне Бриллюэна, заключенного между двумя изоэнергети ческими поверхностями Е и E dE. [39] |
Интегрирование необходимо провести от дна зоны проводимости Ес до ее потолка. [40]
Интегрирование необходимо выполнять от дна зоны проводимости ЕС до ее потолка. [41]
Ферми располагается посередине между дном зоны проводимости и примесными уровнями. [42]
Ферми лежит посредине между дном зоны проводимости и примесным уровнем. При повышении температуры уровень Ферми повышается, проходит при некоторой температуре через максимум, затем опускается. [43]
Нуль энергии совмещен с дном зоны проводимости. Числа, представленные на диаграмме, подсчитаны для образца, находящегося при комнатной температуре. [44]
Ферми располагается посередине между дном зоны проводимости и донорными уровнями. [45]