Дно - зона - проводимость
Cтраница 4
Обычно энергия электрона на дне зоны проводимости меньше его энергии в вакууме, однако в исключит. Гелий твердый ] - дно зоны проводимости лежит выше уровня покоящегося электрона в вакууме и поэтому электроны из вакуума не могут проникать в кристалл; однако они, поляризуя кристалл, притягиваются к нему индуцированным на поверхности зарядом. В результате образуются поверхностные состояния с волновой ф-цией, локализированной вне кристалла у его поверхности. [46]
В этом случае электрон со дна зоны проводимости захватывается так называемыми ловушками - локальными уровнями ( рис. 16.4, 6), иногда называемыми также уровнями прилипания. В дальнейшем электрон, так же как и в первом случае, опускаясь на уровень активатора, рекомбинирует с образовавшейся дыркой в валентной зоне. Возбужденный ион активатора за счет получения энергии рекомбинации становится центром высвечивания. Ввиду задержки электрона на локальных уровнях такое свечение бывает продолжительным. Его длительность определяется также глубиной локальных уровней. Если локальный уровень лежит так далеко от дна зоны проводимости, что тепловая энергия при данной температуре кристалла недостаточна для возвращения электрона обратно в зону проводимости, то он может быть пленен на этом уровне до сообщения ему нужной энергии другим способом, скажем облучением. Электрон из этого пленения можно освободить также путем дальнейшего нагревания кристалла. Подобное свечение называется термовысвечиванием. [47]
Поскольку расстояние уровня VM от дна зоны проводимости растет при увеличении ширины запрещенной полосы Ее, то рост последней должен способствовать образованию пар взаимно компенсирующих друг друга дефектов. [48]
Положение - уровней прилипания относительно дна зоны проводимости можно определить путем сравнения с уровнем Ферми. [49]
 |
Энергетические зоны и межзонные переходы ( гл. V-III для простого полупроводника при Н 0 ( а и Я. 0 ( б. [50] |
Отсчет энергии электрона сделан от дна зоны проводимости электрона. Учтено также, что kz имеет два знака. [51]
Ег - энергия, соответствующая дну зоны проводимости ( рис. 316), Яр - энергия Ферми, Т - термодинамическая температура, С - постоянная, зависящая от температуры и эффективной массы электрона проводимости. [52]
ЕО - энергия, соответствующая дну зоны проводимости в отсутствие магнитного поля, / - магнитное квантовое число Ландау, a g - величина, характеризующая электроны в зоне проводимости. [53]
 |
Эффективные плотности состояний для.| Расположение примесных уровней в.| Концентрация носителей заряда в полупроводнике а - собственном. б - электронном. в - дырочном. [54] |
Уровни, расположенные близко к дну зоны проводимости, поставляют в нее электроны уже при незначительной температуре. Эти уровни называются донорными. [55]
Электронно-дырочный переход) тем, что дно зоны проводимости n - области располагается ниже потолка валентной зоны р-области. [56]
Поскольку свободные электроны находятся лишь вблизи дна зоны проводимости, а дырки - у потолка валентной зоны, то наиболее вероятны рекомбинационные переходы, подобные показанному на рисунке стрелкой. [57]
 |
Свойства примесей в Si.| Свойства примесей в Ge. [58] |
Для доноров энергия ионизации отсчитывается от дна зоны проводимости, для акцепторов - от края валентной зоны. [59]
Страницы: 1 2 3 4