Акцепторная добавка
Cтраница 1
Акцепторные добавки ( С2, СО2 при высоких температурах) снижают интенсивность радикалолю минесценции, хотя малые добавки кислорода несколько повышают интенсивность свечения. Это связано, очевидно, с изменением вклада каждого из названных выше эффектов. [2]
Акцепторные добавки ( О %, СОа при высоких температурах) снижают интенсивность радикалолю минесценции, хотя малые добавки кислорода несколько повышают интенсивность свечения. Это связано, очевидно, с изменением вклада каждого из названных выше эффектов. [4]
Галлий используют как акцепторную добавку для легирования германия. [5]
Формируют р-га-переход путем введения акцепторной добавки - трехвалентного металла, получая дырочный полупроводник, и путем введения донорной добавки - пятивалентного металла, например сурьмы или мышьяка, получая электронный полупроводник. В качестве типичных способов введения примесей существуют такие, как сплавление, выращивание кристалла. Рассмотрим кратко способ сплавления. На электронный германий кладут мелкое зерно индия ( точка плавления 160 С) и нагревают в атмосфере аргона до 550 С. После 10 - 15 мин охлаждения происходит рекристаллизация, заключающаяся в том, что на поверхности исходного кристалла из полученного расплава кристаллизуется слой германия, легированного индием. Этот слой представляет собой дырочный германий. Так образуется р-п переход. [6]
При введении донорных или акцепторных добавок в полупроводниковые окислительные катализаторы ( CuCh V20&) или металлические ( серебро) изменяется не только их активность, но и селективность процессов. Изменение стехиометрического состава окисла металла также приводит к изменению каталитической активности. Саймард, Стегер и др. [79], а также Ройтер с сотрудниками [80] считают, что активный ванадиевый катализатор, применяемый для окисления нафталина, представляет динамическую систему из четырех - и пятивалентного ванадия. [7]
 |
Изменение работы выхода. [8] |
Аналогичное влияние на ф оказывают акцепторные добавки ( Cl, I, S, Se и др.) - На рис. 78 показано изменение работы выхода при введении в него различных количеств хлор-иона. [9]
Рогинский и И. С. Сазонова [1160], введение акцепторных добавок ( окиси лития) в р-полупроводник - закись никеля приводило к увеличению электропроводности и уменьшению скорости реакции окисления окиси углерода. Это показывает справедливость вывода, сделанного в работе [252], о том, что не изменения электропроводности, а изменения работы выхода электрона должны быть Критерием изменений электронных свойств полупроводников и характера электронных переходов в адсорбционных и каталитических процессах. Последнее показывает также необходимость осторожного подхода к трактовке кинетики и механизма реакций с помощью электронных представлений. [10]
 |
Влияние адсорбированных атомов и молекул на работу выхода металлов. [11] |
Анализ данных доказывает электронный механизм модифицирования серебра акцепторными добавками. [12]
В сложных параллельных, последовательных или параллельно-последовательных реакциях донорные и акцепторные добавки могут по-разному менять скорости составляющих реакций. Поэтому при подборе полупроводниковых катализаторов нужно исследовать оба класса добавок - донорные и акцепторные, а также проверять их дозировку в достаточно широких интервалах, особенно в области м-алых значений. [13]
В сложных параллельных, последовательных или параллельно-последовательных реакциях донорные и акцепторные добавки могут по-разному менять скорости составляющих реакций. Поэтому при подборе модификаторов для полупроводниковых катализаторов нужно исследовать оба класса добавок - донорные и акцепторные, а также проверять их дозировку в достаточно широких интервалах, особенно в сторону малых значений. [14]
То же самое было найдено при исследовании [436] катализа на NiS, легированном донорными и акцепторными добавками. [15]
Страницы: 1 2 3