Акцепторная добавка

Cтраница 3

Схема аппаратуры для газофазной эпитаксии. [31]

В ряде случаев при жидкофазной эпитаксии применяют методы погружения и градиента температур. В первом случае подложка, укрепленная на держателе, перемещающемся вертикально, может погружаться в ванну с раствором-расплавом. Вертикальное расположение позволяет вводить донорные и акцепторные добавки последовательно в процессе кристаллизации и тем самым получить р-га-переход путем одностадийного процесса. Метод градиента температур заключается в том, что подложку и расплав поддерживают при неизменных, но различных температурах ( Подл распл) в течение всего процесса. За счет температурного градиента идет перенос вещества из расплава к подложке, и происходит рост слоя при фиксированной температуре. [32]

Акцепторные примеси обусловливают в полупроводнике преобладание дырочной проводимости, а донорные примеси - преобладание электронной проводимости, причем ничтожная добавка указанных примесей увеличивает электрическую проводимость полупроводника в десятки тысяч раз. В качестве акцепторных примесей ( добавок) применяются вещества, в атомах которых число валентных электронов на единицу меньше, чем у данного полупроводника, а в качестве донорных - вещества, число валентных электронов которых на единицу больше, чем у чистых полупроводников. Например, алюминий применяется в качестве акцепторной добавки к кремнию потому, что атом кремния содержит четыре валентных электрона, а атом алюминия - три. [33]

Страницы: 1 2 3