Добавление - примесь - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Экспериментальный кролик может позволить себе практически все. Законы Мерфи (еще...)

Добавление - примесь

Cтраница 2


На устойчивость этого слоя сильно влияет добавление примесей, которые приводят к повышению стабильности. Такими примесями являются прежде всего следы обрабатывающего материала и окисные загрязнения, возникающие вследствие взаимодействия металла с атмосферой.  [16]

Необходимо также иметь в виду, что добавление примесей к катализатору может оказать влияние на процесс спекания и, следовательно, на величину удельной поверхности после такой обработки. В случае окиси цинка добавление Li2O облегчает процесс спекания и, таким образом, способствует уменьшению удельной поверхности, а добавка Ga2O3 [94] затрудняет процесс спекания.  [17]

Смакулы [135] установилось неправильное мнение, что добавление примеси ионов тяжелых металлов к щелочно-галоидным кристаллам приводит во всех случаях к увеличению концентрации F-центров. Аналогичного мнения придерживался впоследствии также Шульман [284], полагавший, что возникновение характерной для F-цент-ров окраски вообще обязано наличию в чистом кристалле малых концентраций чужеродных примесей, играющих как бы роль сенсибилизаторов. Автор [245] впервые установил, что, вопреки установившемуся мнению, концентрация обычных F-центров, возникающих под действием рентгеновых лучей в щелочно-галоид-ных фосфорах активированных серебром, уменьшается с увеличением концентрации активатора. В фосфорах с большой концентрацией серебра - центры обнаруживаются уже с большим трудом.  [18]

19 Схематическое изображение участка кристаллической решетки германия. Сдвоенные точки изображают электроны. [19]

Проводимость полупроводника может быть увеличена за счет добавления примесей в процессе формирования кристаллов. Чдсло валентных электронов в атомах этих примесей должно быть больше или меньше, чем в атомах германия или кремния. Так, например, если в кристалл полупроводника введен атом мышьяка, имеющий пять валентных электронов, то лишь четыре электрона этого атома оказываются занятыми в валентных связях, а пятыц свободно перемещается в кристалле.  [20]

Керамический кирпич формируют из глины ( иногда с добавлением примесей) и потом подвергают обжигу. Сырьевая смесь силикатного кирпича состоит из извести и кварцевого песка и обрабатывается автоклавным методом.  [21]

Мера того, насколько понижается точка замерзания соединения при добавлении примесей.  [22]

Зонная модель объясняет такое поведение удельного сопротивления предположением, что добавление примесей приводит к образованию внутри запрещенной зоны, расположенной между валентной зоной и зоной проводимости, дополнительных уровней двоякого рода.  [23]

Для обнаружелия утечек газа ему придают резкий и неприятный запах путем добавления примесей.  [24]

У каждого вида топлива имеются так называемые ограничительные константы, которые в результате добавления примесей не должны быть нарушены. Для примера в табл. 53 приведены ограничительные константы, которые должны быть сохранены у основного топлива при добавлении в него других видов топлив.  [25]

Следует заметить, что любой чистый сверхпроводник можно перевести в сверхпроводник второго рода путем добавления примесей - или создания дефектов кристаллической структуры.  [26]

Поскольку CdF2 может быть полупроводником п-типа, исследовали также повышение коэффициента использования за счет добавления примесей Y-типа.  [27]

Отсюда следует, что лимитирующая стадия процесса связана с изменением степени заполнения электронных уровней при добавлении примесей обоих видов. Кинетическое исследование, проведенное выше, показывает, что лимитирующей стадией является реакция адсорбированного кислорода с окисью углерода из газовой фазы. Согласно этой схеме, энергия активации должна, зависеть от особенностей процесса электронного обмена между кислородом и катализатором.  [28]

В массовом производстве позисторы делают на основе титанато-бариевой керамики, удельное сопротивление которой значительно уменьшено в результате добавления примесей. Титанат бария ( ВаТЮ3) - диэлектрик с удельным сопротивлением при комнатной температуре 1010 - 1012 Ом - см. Введение в титанат бария малых количеств ( 0 1 - 0 3 ат.  [29]

При очень высоких температурах концентрация вакансий, образовавшихся термическим путем, значительно выше концентрации катионных вакансий, возникших путем добавления примеси SrQ2, и потому кристалл ведет себя так, как если бы он был чистым. Эта область ( выше точки В) соответствует собственной проводимости. Таким образом, температура Тв, при которой кривая In о - Т-1 монокристалла имеет излом, зависит только от концентрации примесей.  [30]



Страницы:      1    2    3    4