Добавление - примесь
Cтраница 3
Здесь концентрация и тип носителей заряда может контролируемым образом изменяться в пределах 1015 - 1019 см-3, что достигается добавлением примесей, оптическим возбуждением или использованием электростатических затворов. [31]
Иными словами, видимо, поведение кристаллоидного раствора логичнее связать с поведением расплава кристаллогидрата, точка плавления которого понижена за счет добавления примеси - дополнительной воды - то есть с раствором воды в кристаллогидрате соли, в противоположность обычным растворам солей. Под обычными растворами мы понимаем те, к которым применимы модели Френка - Вена и Самойлова или экстраполяция указанных моделей на случай весьма концентрированных растворов. То есть роль воды в реализации таких двух типов растворов различна - если в первом случае она является координационно связующим звеном между катионом и анионом, то в случае обычного раствора она служит средой с определенными физическими константами - диэлектрической постоянной, дипольным моментом молекул, - в которой возможно растворение соли и протекание электролитической диссоциации. Конечно, такое разделение растворов на два класса, как и всякая другая классификация растворов по какому-либо признаку, является идеализацией сложной картины существования раствора. Мы имеем право говорить лишь о преобладании определенной тенденции, позволяющей отнести раствор к тому или иному классу. [32]
Поскольку наличие примесей очень мало влияет на указанные величины ( о чем можно судить по малому изменению термодинамических свойств), наблюдаемые большие изменения глубины проникновения X при добавлении примесей остаются необъясненными. [33]
Поскольку наличие примесей очень мало влияет на указанные величины ( о jieM можно судить по малому изменению термодинамических свойств), наблюдаемые большие изменения глубины проникновения X при добавлении примесей остаются необъясненными. [34]
Выше указывалось, что чистые неметаллические кристаллы стехиометрического состава являются, в зависимости от ширины запрещенной зоны, диэлектриками или собственными полупроводниками; при отклонениях их от стехиометрического состава или добавлении примесей проводимость при низких температурах сильно увеличивается. Это действительно имеет место для большей части изучавшихся оксидов и сульфидов металлов, а также для многих частично ионных соединений. Важное исключение представляет собой окись железа Fe3O4, которая является хорошим полупроводником и при точном стехиометрическом составе, тогда как при наличии дефектов в кристаллической решетке этого вещества его электропроводность уменьшается. Эти ионы занимают часть катионных положений в решетке, хаотически распределяясь между ними. Электроны могут довольно легко переходить от Fe к Fe, при этом место, занимаемое ионом Fe, перемещается как положительная дырка. [35]
Помимо данных о плотности термических дефектов, эти измерения могут быть использованы для выявления природы дополнительных дефектов ( которые должны иметь место, чтобы сохранилась электронейтральность), возникающих в ионных солях, содержащих двухвалентные примеси. Метод добавления примесей с получением контролируемой концентрации дефектов используется при исследовании диффузии; поэтому особенно важно знание природы возникающих в этом случае дефектов. [36]
Добавление примеси в чистый металл приводит к тому, что удельное сопротивление образующегося сплава ( манганин, константан, нихром и др.) становится больше, чем удельные сопротивления отдельных компонентов. При добавлении примеси другого элемента в полупроводник его удельное сопротивление, как будет показано в § 1.2, резко уменьшается. [37]
Недавно Лайнтон, Серии и Цуккер [121] продолжили измерения на сплавах с оловом и области низких температур. Они обнаружили, что добавление примесей наряду с обычным уменьшением температуры перехода приводит к небольшому постепенному возрастанию постоянной /, входящей в выражение для электронной теплоемкости нормальной фазы. [38]
Недавно Лайптон, Серии и Цуккер [121] продолжили измерения на сплавах с оловом в области низких температур. Они обнаружили, что добавление примесей наряду с обычным уменьшенном температуры перехода приводит к небольшому постепенному возрастанию постоянной у, входящей в выражение для электронной теплоемкости нормальной фазы. Такой эффект обнаружен для всех примесей, валентность которых как больше, так и меньше валентности олова. [39]
Согласно изложенному в разделе 5.5 наиболее эффективным способом изменения дефектной структуры нестехиометрических ионных соединений является легирование их примесями с валентностью, отличной от валентности основных ионов. Поэтому следует ожидать, что добавление гетеровалентной примеси в окисляемый металл или в окисляющую газовую среду должно приводить к изменению дефектной структуры окалины и, следовательно, скорости окалинообразования. [40]
Найдем в том же первом приближении относительно CA. Q изменение температуры распада, вызванное добавлением примеси атомов А к сплаву В - С. [41]
 |
Изменение концентрации примесей с давлением пара для летучего F. рр и рА являются функциями той. [42] |
Содержания ионизированных дефектов и примесей во всех случаях не зависят друг от друга: присутствие акцептора снижает концентрации других акцепторов и повышает концентрации доноров. В частности, концентрация дефектов решетки изменяется при добавлении примесей; растворимость и механизм внедрения примесей зависит от природы и концентрации дефектов решетки. [43]
Металл А обладает меньшим удельным сопротивлением, чем металл В, однако если добавить небольшое его количество к металлу В, то сопротивление возрастает. Это объясняется тем, что решетка металла В при добавлении примеси А становится еще более испорченной. [44]
Приблизительно через шесть месяцев Пирсон и др. [21] в письме в редакцию журнала Physical Review опубликовали экспериментальные данные, подтверждающие теорию р-п-пк-рехода, предложенную Шокли. Для этого использовался плоскостной полупроводниковый диод с р-и-переходом, приготовленный путем добавления примесей галлия к образцу германия n - типа. Изготовленный таким способом диод обладал высоким обратным напряжением. Примерно в то же время Дж. [45]
Страницы: 1 2 3 4