Добавление - примесь
Cтраница 4
Высказало предположение, что низкотемпературная проводимость является электронной и обусловлена дефектами решетки, а высокотемпературная проводимость - дырочная. Синтетическим алмазам могут быть приданы полупроводниковые свойства ( проводимость р-типа) добавлением примесей В, Be или А1 ( до 1 %) в - исходную смесь графита с катализатором ио. [46]
Предэкспоненциальный множитель [3, 8] в выражении для х0 хорошо согласуется с представлением о наличии дефектов по Френкелю. При низких температурах проводят межузловые ионы Na, которые высаливаются добавочными вакансиями, возникающими при добавлении примеси, при высоких температурах доминирует перенос по вакансионному механизму. [47]
Спектры ЯМР н-парафинов высокой чистоты ( чистота 99 %) [187] показывают появление узкой компоненты в области 200 К в зависимости от длины цепи; для н - С18Н38 появление этой компоненты происходит вблизи 190 К, в то время как для н - С35Н72 она появляется при - 230 К - Благодаря отчетливости этой линии эта компонента связывается с движением на границах или на дефектах кристаллов, подобным движению в жидкости. Температуры переходов, определяемые по спектрам ЯМР, существенно зависят от присутствия примесей, причем при добавлении примесей происходит сдвиг перехода в сторону более низких температур. [48]
С повышением температуры увеличивается число электронов, у которых кинетическая энергия теплового движения делается больше работы выхода. Можно увеличить число испаряющихся электронов, если уменьшить работу выхода электронов из металла; это достигается путем специальной обработки поверхности металла, добавлением примесей, изменяющих структуру ионной решетки, или нанесением на поверхность металлов тонких слоев другого вещества, способствующих уменьшению работы выхода. [49]
 |
Сортамент стальных слитков европейских заводов.| Сортамент стальных слитков заводов США. [50] |
Скольжение происходит в плоскостях, положение которых зависит от природы кристалла. Величина напряжения, обусловливающего скольжение ( сдвиг), зависит от природы кристалла, температуры и скорости деформации и значительно увеличивается с добавлением примесей. [51]
Аналогичная картина наблюдается и для смесей дихлорэтана, ацетона, метилэтилкетона и других растворителей с бензолом и толуолом. В этом случае увеличение длины углеводородного радикала кетона, повышая его дисперсионный эффект, заменяет добавление бензола или толуола к таким кетонам, как ацетон или МЭК - Добавление примесей к неполярным растворителям, в частности к сжиженному пропану, в ряде случаев резко сказывается на растворимости в нем углеводородов и смолистых веществ нефти. Одна группа веществ понижает растворяющую способность пропана. Сюда относятся, например, метан, этан и некоторые спирты. Вторая группа соединений повышает эту способность; это бутан, пентан и другие высшие гомологи метана, олефины и полярные растворители, применяемые в переработке нефтяных фракций. [52]
 |
Характеристики установки магне-тронного реактивно-ионного травления. [53] |
Механизм травления в плазме методом реактивного ионного травления сложен и зависит от материала и структуры слоев. Виды газов, которые используются для травления типичных материалов, применяемых в технологии изготовления БИС, представлены в табл. 4.12. В электрическом разряде молекулы газа разлагаются, образуются молекулы, ионы и радикалы, а в случае добавления примесей образуются дополнительные виды молекул, атомов и ионов. Эти частицы исследуются методом масс-спектрометрии. При соударении частиц с лицевой поверхностью образца может происходить адсорбция, разложение, реакция, десорбция, а при бомбардировке ускоренными ионами - распыление. Эффективность этих процессов различна в зависимости от угла падения частиц. Распыленные вещества могут также вновь сорбироваться на другом участке. Образованные в результате реакций вещества создают большие молекулы, которые также могут сорбироваться на другом участке. Следовательно, в каждом отдельном случае необходимо изучать механизм и разрабатывать технологию формирования определенного рисунка. [54]
При меньшем, чем в этой точке, значении pd возникновение разряда затруднено вследствие того, что уменьшается вероятность столкновения электронов с атомами газа, а при большем значении pd электроны набирают на пути свободного пробега слишком малую энергию, недостаточную для ионизации, и напряжение UB также увеличивается. Напряжение возникновения разряда значительно выше напряжения ионизации газа и достигает сотен вольт. Добавление примесей может существенно изменить его ( рис. 11.3), в том числе в сторону уменьшения до десятков вольт. [55]
На первый взгляд, быстродействие криотрона может быть увеличено путем простого увеличения сопротивления вентильной пленки. Однако при уменьшении толщины пленки уменьшается и усиление. Добавление примесей также приводит к уменьшению усиления, вследствие увеличения глубины проникновения. [56]
Замечено двойственное поведение скоростного коэффициента при наличии примесей. Примеси ослабляют влияние скорости деформации за счет затруднения динамической полигонизации. Однако добавление примесей может приводить к понижению температуры плавления металла. Это в свою очередь усиливает влияние скорости на сопротивление деформации. [57]
Страницы: 1 2 3 4