Cтраница 1
Тонкопленочные конденсаторы являются наиболее сложными элементами, обладающими малой надежностью. [1]
Тонкопленочные конденсаторы имеют трехслойную структуру: металл-диэлектрик-металл. Испытывались и многослойные конденсаторы, однако из-за высокой стоимости и малого выхода годной продукции многослойные конденсаторы не изготовляют. [2]
![]() |
Элементы пленочных интегральных микросхем. [3] |
Тонкопленочные конденсаторы формируют на подложке в три последовательных этапа. [4]
Тонкопленочные конденсаторы представляют собой обычно трехслойную структуру: два металлических слоя, разделенные пленкой диэлектрика. Максимальная емкость пленочного конденсатора не превышает нескольких тысяч пикофарад. [5]
![]() |
Элементы пленочных интегральных микросхем, а - резисторы. б - конденсаторы. в - катушки индуктивности. [6] |
Тонкопленочные конденсаторы формируют на подложке в три последовательных этапа. [7]
![]() |
Структура гибридной интегральной микросхемы, наготовленной по совмещенной технологии. [8] |
Тонкопленочный конденсатор представляет собой алюминиевую пленку, осаждаемую на слое двуокиси кремния ( первая обкладка), и сильно легированный полупроводник, используемый в качестве второй обкладки. Такое выполнение микросхемы по совмещенной технологии позволяет получить размеры ИС значительно меньшими по сравнению с гибридными ИС. Совмещенные ИС выгодны, если необходимы высокие номиналы и высокая стабильность сопротивлений и емкостей. [9]
Тонкопленочные конденсаторы являются наиболее сложными в изготовлении и наименее надежными в эксплуатации из всех пассивных элементов пленочных микросхем. [10]
![]() |
Часть пленочной интегральной /. С-микросхемы. [11] |
Тонкопленочные конденсаторы изготовляют нанесением двух слоев металла, разделенных слоем диэлектрика. В качестве диэлектрика используют монооксид кремния, а для обкладок конденсатора - пленку алюминия. [12]
![]() |
Конструкция тонкопленочного конденсатора. [13] |
Тонкопленочные конденсаторы ИМС обладают более высокими качествами: их диапазон емкостей 10 000 пФ, температурная стабильность 2 - 10 4 1 / С, технологический разброс параметров 10 / о. [14]
Точность тонкопленочного конденсатора зависит от точности получения площади и толщины диэлектрического слоя. [15]