Тонкопленочный конденсатор

Cтраница 4

Пригодность различных типов изолирующих пленок для создания тонкопленочных конденсаторов определяется в значительной степени возможностью управления свойствами и геометрическими размерами пленок во время процесса изготовления. В противоположность тонкопленочным резисторам, которые могут быть подогнаны до номинала рядом методов ( см. гл. [46]

Другие материалы, представляющие интерес в качестве диэлектрика тонкопленочных конденсаторов, будут рассмотрены вкратце. Это - ТЮ2 и титанаты, интересные благодаря большим значениям диэлектрической постоянной. Предварительные результаты показывают, что окислы гафния [1]), иттрия [2,3] и других редкоземельных элементов весьма стабильны при формировании пленок анодированием и реактивным катодным распылением. [47]

Металлические пленки применяют для изготовления тонкопленочных резисторов и обкладок тонкопленочных конденсаторов, а также для создания токопроводящих дорожек и контактных площадок в интегральных микросхемах. [48]

Выбор материала диэлектрика во многом определяет организацию технологического процесса производства тонкопленочных конденсаторов. Поэтому целесообразно эти технологические процессы рассматривать применительно к каждому диэлектрику отдельно. [49]

Как указывалось ранее, два основных источника паразитных явлений в тонкопленочных конденсаторах обусловлены диэлектрическими потерями и последовательным сопротивлением обкладок конденсаторов. К другим паразитным явлениям относятся последовательная индуктивность и непосредственно ток утечки. Без учета диэлектрика индуктивность обкладок может быть рассчитана, исходя из предположения, что они образуют один проводящий путь, длина которого значительно больше ширины. Величина последовательной индуктивности обкладок конденсатора обычно имеет величину порядка наногенри. [50]

Большая емкость С0 и меньшая площадь достигаются в элементах памяти с тонкопленочными конденсаторами, расположенными на поверхности кристалла. [51]

Селективное электрохимическое окисление металлов ( А1, Та) широко применяется при формировании тонкопленочных конденсаторов и диэлектрических слоев при создании многослойных структур. Фоторезист в данном случае используется в качестве защитной маски при анодировании. [52]

В табл. 31 приведены основные параметры напыляемых материалов и получаемых на их основе тонкопленочных конденсаторов. [53]

Конструкция пленочного конденсатора. [54]

Толщина диэлектрика в толстопленочных конденсаторах составляет 10 - 40 мкм, а в тонкопленочных конденсаторах, изготовляемых методом напыления, примерно 0 1 - 1 мкм. При использовании метода анодирования наименьшая толщина диэлектрика составляет 0 02 - 0 03 мкм. Уменьшению толщины диэлектрика ниже указанных пределов препятствуют возникновение пор и сквозных отверстий - которые заполняются металлом верхней обкладки и вызывают пробой конденсатора. В пленочных конденсаторах с напыленными диэлектриками наибольшая вероятность пробоя возникает на участке, где вывод верхней обкладки проходит над границей нижней обкладки. В этом месте толщина диэлектрика оказывается наименьшей. [55]

Эпитаксиальные пленки кремния перспективны в микроэлектронике; их применяют при изготовлении герметизированных сопротивлений, тонкопленочных конденсаторов, биполярных и униполярных транзисторов, интегральных схем бытового и специального назначения. [56]

Так же как и в случае неполярных пленок, применяя специальную технологию, можно изготовлять тонкопленочные конденсаторы, используя для этой цели полярные полимеры. [57]

Коррозия металлизации и проволочных выводов приводит к снижению механической прочности соединений и обрывам верхних обкладок тонкопленочных конденсаторов. [58]

Мы остановились здесь на рассмотрении этого типа конденсатора достаточно подробно, потому что саму идею тонкопленочного конденсатора с сохраненной металлической подложкой можно считать жизненной при использовании новых методов нанесения тонких пленок, позволяющих получать малые толщины с большей однородностью, чем это удается при лаковом методе. Часто можно заменять фольгу более тонкой изоляционной металлизированной подложкой, но не всегда: в частности, металлическая подложка будет необходима, если по условиям технологии нанесения тонкого слоя нужна высокая температура или иные условия, способные разрушить органическую подложку. [59]

Из этого уравнения видно, что р, dt и их соотношение сильнс влияют на работу тонкопленочного конденсатора при высоких частотах. Ограничения по частоте для высокочастотного конденсатора могут быть уменьшены увеличением толщины и проводимости металлических электродов. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5