Базовый контакт

Cтраница 1

Базовый контакт должен иметь значительную площадь, так как это определяет тепловые характеристики триода. Для обеспечения эффективного рассеяния тепла Кристаллодержатель следует изготовлять из материала с хорошей теплопроводностью. Очевидно также, что чем больше размер кристаллодержателя, тем лучше отводится тепло от перехода через защитное покрытие к корпусу триода, хотя механическая стабильность может при этом понижаться. Конструкция узла кристаллодержателя для триода, рассчитанного для работы в условиях больших механических нагрузок, представлена на фиг. [1]

Базовый контакт между пластинкой и кристаллодержателем должен иметь хорошие омические характеристики. [2]

Базовый контакт триода должен иметь чисто омические свойства, быть механически прочным, обладать малым сопротивлением и не препятствовать отводу тепла от перехода. Изготовление базового контакта должно проводиться при достаточно низкой температуре без изменения объемных свойств германия и без нарушения рельефа его поверхности. [3]

Зависимость / к ( сплошная кривая и Вст1к / 1б ( пунктирная кривая от тока базы для кремниевого сплавного р-п - р транзистора средней мощности. [4]

Для создания базовых контактов было также использовано золото, но с добавкой акцепторов. Применение золота как электродного материала на кремнии связано с такими же трудностями, как и использование алюминия. Прежде всего это опасность возникновения механических напряжений или даже трещин из-за различия коэффициентов теплового расширения. [5]

Операция приварки базового контакта подробно рассмотрена в гл. [6]

Вольтамперная характеристика легированного базового контакта на германии электронной проводимости; в золото введена примесь сурьмы. [7]

Расстояние между эмиттерным и базовым контактом можно взять равным 0 1 мм, потому что вряд ли с помощью сплавления можно расположить кольцевые электроды более близко друг от друга. [8]

Расчетные формулы сопротивления базовой области транзистора. [9]

Заштрихованные участки соответствуют омическим базовым контактам. [10]

Ввиду того, что базовый контакт большинства конструкций триодов имеет сравнительно большую площадь, необходимо учитывать наличие остаточных напряжений в полупроводниковом материале. [11]

Обычно скорость рекомбинации на базовом контакте во много раз выше скорости рекомбинации в объеме полупроводника. [12]

При монтаже полупроводниковых триодов их базовый контакт ( средний вывод) подключают первым. Поляризованные детали ( полупроводниковые диоды всех типов, электролитические конденсаторы) монтируют с соблюдением полярности их выводов. [13]

При монтаже полупроводниковых триодов их базовый контакт ( средний вывод) подключают первым. [14]

При монтаже полупроводниковых триодов их базовый контакт подключают первым. Поляризованные детали ( полупроводниковые диоды всех типов, электроли -; тические конденсаторы) монтируют, соблюдая поляр ность их выводов. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5