Базовый контакт

Cтраница 2

Полупроводниковый материал базовой области и базовый контакт обладают некоторым объемным омическим сопротивлением rg для тока основных носителей, протекающего по цепи базы. [16]

Возможно включение нагрузочного сопротивления между базовыми контактами фотодиода. При этом знак выходного сигнала указывает, вправо или влево от оси симметрии сместилось изображение излучателя. Подавая напряжение смещения на базовые контакты, можно изменять положение нулевой точки инверсионной характеристики, что выгодно применять в ряде быстродействующих оптико-электронных приборов. Осуществляя так называемую электронную модуляцию выходного сигнала фотодиода, что достигается вводом специального модулятора ( прерывателя) в цепь его переходного контакта ( рис. 38 6), можно изменять во времени крутизну инверсионной характеристики по любому заданному закону. Такая схема включения инверсионного фотоэлемента обладает всеми достоинствами мостовых балансных схем, а применение синхронизации между цепью управления параметрами излучателя и цепью приемника открывает перед ней широкие перспективы с точки зрения повышения ее помехозащищенности. [17]

Так как скорость рекомбинации на базовом контакте не является бесконечной, то, естественно, что при таком расчете будут получены несколько заниженные значения времени переходных процессов. [18]

С целью повышения пробивного напряжения применяется расширенный базовый контакт. В структуре транзистора ( рис. 2.10) высокоэмная область коллектора у р - п перехода под действием обратного напряжения t / кв обедняется. Отрицательное напряжение на базовом контакте компенсирует действие положительного заряда поверхностных состояний, и у р - п перехода создается расширенная область объемного заряда. [19]

Если эмиттерный переход закорочен с базой, а базовый контакт омический, то при любом распределении примесей в базе ток эмиттера будет по абсолютной величине один и тот же при симметричном отклонении от равновесной концентрации дырок на коллекторном переходе. [20]

Графики зависимости максимально допустимой амплитуды импульса тока управления от Ч - длительности управляющего импульса, у. [21]

Приняв в качестве допустимой температуры температуру плавления припоя базового контакта ТПрб, из формулы (3.44) можно найти зависимость максимально допустимой амплитуды импульса тока управления от длительности / упр. [22]

Схема включения одно-переходного транзистора в режиме релаксационного генератора.| Распределение потенциала в базе. [23]

Очевидно, что Ri R2 сопротивление кристалла между базовыми контактами, а f / бб напряжение между ними. [24]

Входная вольт-амперная характеристика одиопереходного транзистора ( / - характеристика при отключенной базе. [25]

Очевидно, что Rt / сопротивление кристалла между базовыми контактами, a EQ напряжение между ними. [26]

Базовая контактная область п - типа служит для создания омического базового контакта к слаболегированному эпитаксиальному слою. [27]

При включении транзисторов в схему, находящуюся под напряжением, базовый контакт должен присоединяться первым и отклкн чаться последним. [28]

При включении транзистора в цепь, находящуюся под напряжением, базовый контакт присоединяется первым и отключается последним. [29]

При включении транзистора в цепь, находящуюся под напряжением, базовый контакт должен присоединяться первым и отсоединяться последним. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5