Базовый контакт
Cтраница 3
При включении транзистора в цепь, находящуюся под напряжением, базовый контакт необходимо присоединять первым и отсоединять последним. [31]
При включении транзистора в цепь, находящуюся под напряжением, базовый контакт необходимо присоединять первым и отсоединять последним. Не рекомендуется эксплуатация транзисторов с отключенной базой по постоянному току. [32]
При включении транзистора в цепь, находящуюся под напряжением, базовый контакт присоединяется первым и отключается последним. [33]
При включении транзистора в цепь, находящуюся под напряжением, базовый контакт должен присоединяться первым и отсоеди - НЯТБСЯ последним. [34]
При включении транзистора в цепь, находящуюся под напряжением, базовый контакт необходимо присоединять первым и отсоединять последним. [35]
При включении транзистора в цепь, находящуюся под напряжением, базовый контакт необходимо присоединять первым и отсоединять последним. Не рекомендуется эксплуатация транзисторов с отключенной базой по постоянному току. [36]
При включении транзистора в цепь, находящуюся под напряжением, базовый контакт должен присоединяться первым и отсоединяться последним. [37]
При включении транзистора в цепь, находящуюся под напряжением, базовый контакт присоединяется первьГм и отключается последним. [38]
При включении транзистора в цепь, находящуюся под напряжением, базовый контакт присоединяется первым и отключается последним. [39]
При включении транзистора в цепь, находящуюся под напряжением, базовый контакт должен присоединяться первым и отсоединяться последним. [40]
При включении транзистора в цепь, находящуюся под напряжением, базовый контакт необходимо присоединять первым и отсоединять последним. [41]
При включении транзистора в цепь, находящуюся под напряжением, базовый контакт необходимо присоединять первым и отсоединять последним. Не рекомендуется эксплуатация транзисторов с отключенной базой по постоянному току. [42]
 |
Варианты использования биполярного транзистора в качестве диода. [43] |
При такой конфигурации сопротивление узкого перешейка между активной областью и базовым контактом возрастает и в инверсном режиме инжекция электронов из коллектора в активную область базы будет незначительной. Соответственно, паразитные токи через эмиттеры практически не пройдут. [44]
В процессе образования переходов за счет сплавления германия с золотом получается омический базовый контакт, а никелевые вывода припаиваются к эмиттеру и коллектору. Применение никеля и золота объясняется не только тем, что они образуют соответствующие сплавы с другими деталями прибора, но и тем, что они не поддаются травлению при последующей обработке. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5