Базовый контакт

Cтраница 4

Часто встречающийся дефект прибора. эмиттер вплавлен не целиком. [46]

Вообще, во всех случаях, когда расстояние между эмиттером и базовым контактом неравномерно, мощность концентрируется в самых узких местах. Кроме плохого шриплавления базы губительным для прибора бывает наличие выплывов со стороны базы или эмиттера ( см. рис. 21), или неравномерное вплавление эмиттера ( рис. 19), или эксцентричное расположение эмиттера и базы. [47]

Базовый металлический лепесток фиксирует под собой оловянный сплав ОС-1, применяемый для создания омического базового контакта с германием, поскольку германий смачивается расплавом позже, чем поверхность лепестка. [48]

Данную часть базовой области называют активной, а остальную часть, граничащую с базовым контактом или диэлектрическим слоем, - пассивной. Вблизи краев эмиттера инжектированные из него в базу электроны движутся не только в вертикальном, но и в боковых направлениях, как показано стрелками на рис. 4.4, а. Однако размеры областей транзистора в вертикальном направлении обычно много меньше, чем в горизонтальном. Влияние пассивной базы в первом приближении можно учесть, подключив во внешнюю цепь базы резистор. [49]

Области 2б и 2Н ограничены йлйСкостью, прохоДй - щей через дальний от эмиттера край базового контакта. [50]

Сравнение различных видов распределения примесей в диффузионных слоях. [51]

Такое селективное осуществление диффузии создает целый ряд преимуществ: отпадает необходи-ность последующего травления с целью создания базовых контактов, повышается, если принять дополнительные меры, стабильность приборов, появляется возможность проверки характеристик отдельных структур на пластине перед ее разрезкой на кристаллы и др. В частности, серьезные преимущества селективная диффузия дает при изготовлении мощных транзисторов, так как с ее помощью удается получить весьма сложные конфигурации электродных областей с особо малыми размерами элементов. После проведения диффузионных процессов на пластине полупроводника создаются металлизированные контактные участки над областями коллектора, эмиттера и базы. [52]

Недостатком этого способа является то, что частицы диэлектрика на поверхности стержня затрудняют в дальнейшем получение надежного базового контакта. [53]

Технология изготовления эпи-таксиально-планарных кремниевых транзисторов. [54]

Затем пластины опять поступают на фотолитографическую обработку для вытравливания в окисле окон, необходимых для создания соответственно эмиттерных и базовых контактов. [55]

Эквивалентная схема замещения транзистора с выделением активной, пассивной и периферийной области. [56]

Вторая область - это та часть базы, по которой протекают базовые токи от активной части к базовому контакту, создавая при этом поперечное падение напряжения. Эта область получила название пассивной, а соответствующая ей емкость - пассивной емкости коллекторного перехода Скп. [57]

Третья область - это та часть базы, в которой практически отсутствуют поперечные токи: область под базовым контактом и периферия коллекторного перехода. [58]

Потенциальные диаграммы бездрейфового транзистора p - n - р тша при отсутствии ( а и наличии ( б внешнего электрического поля. [59]

Часть дырок, поступающих в базу, рекомбинирует, вызывая приток электронов в базу от внешнего источника через базовый контакт. Следовательно, возникающий при этом базовый ток является частью эмиттерного тока. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5