Концентрация - донор
Cтраница 1
Концентрация доноров в этом смысле может быть не мала, и миграция энергии по донорам может играть существенную роль в переносе энергии к акцепторам. [1]
Концентрация доноров в п - области диода с идеальным р-п переходом равна концентрации акцепторов в р-области. [2]
 |
Профили распределения донорных примесей в пленках GaAs, наращиваемых на легированных кремнием ( а и теллуром ( б подложках. [3] |
Концентрация доноров 101в см-3 достигается на расстоянии около 0 4 мк и около 1 1 мк от поверхностей подложек, легированных соответственно кремнием и теллуром. [4]
Концентрация доноров водорода и соответственно центров образования сшивок ограничена, что следует из рассмотрения зависимости выхода водорода и количества сшивок от величины поглощенной дозы. [5]
Концентрацию доноров и электронов обозначим соответственно через Nd и пе. Тогда концентрации D и D будут равны Nd - пе и пе. [6]
Если концентрация доноров и акцепторов неодинакова, полупроводник является частично компенсированным. [7]
Однако концентрация доноров Nd неизвестна, так как неизвестно удельное сопротивление исходного кремния. [8]
Распределение концентрации доноров или акцепторов, определяемое по электропроводности легированного слоя, отличается от истинного распределения проникших в материал ионов тем, что не все вбитые ионы оказываются электрически активны. [9]
Обозначим концентрацию доноров в электронной области полупроводника через Nd, а концентрацию акцепторов через Na. Электронную и дырочную области полупроводника для простоты примем однородно легированными. [10]
 |
Реакция исчезновения доноров, отвечающая кинетике первого порядка. [11] |
Следовательно, концентрация доноров пропорциональна содержанию атомов кислорода в степени l, что и соответствует наблюдениям. Доноры, однако, в свою очередь вступают в реакцию, точная природа которой пока не известна. Все же можно думать, что при повышении температуры равновесие ( 26, в) сдвигается влево. Выше 500 процесс идет уже легко, давая в результате диссоциации доноров и рекомбинации освободившегося кислоро-ца более стабильные структуры кремний - кислород, которые при комнатной температуре электрически неактивны. На рис. 16 видно, что при четырех разных температурах кинетика этой реакции - первого порядка. [12]
 |
К пояснению принципа действия инжекционных ПКГ. [13] |
Чем больше концентрация доноров, тем большее количество электронов может переходить в зону проводимости. Это вызывает смещение уровня Ферми вверх, в сторону зоны проводимости ( рис. 5 - 44 6), причем степень смещения тем больше, чем выше концентрация примесей. Такой полупроводник п-типа называется вырожденным. [14]
С - концентрация доноров D, константа скорости kc ( t) определяется уравнением (12.26), а обратной реакцией из гетероэксимерного состояния можно пренебречь. [15]
Страницы: 1 2 3 4