Концентрация - донор
Cтраница 2
Обычно для концентраций доноров и ак Ги торов, применяемых на практике, имеют место соотношения: n - 3rii и ДЛ. [16]
 |
График распределения концентрации доноров при бомбардировке кремния ионами натрия. [17] |
Такое распределение концентрации доноров может появиться только в том случае, если поверхностный слой n - типа вследствие радиационных нарушений имеет сравнительно малый коэффициент диффузии и распределение концентрации в области нарушений определяется процессами проникновения ионов в решетку кремния. Более глубокие области, имеющие малый градиент концентрации доноров, должны обладать сравнительно большим коэффициентом диффузии. [18]
С повышением концентрации доноров уровень Ферми располагается ближе к зоне проводимости, что объясняется увеличением концентрации электронов и ростом заполнения зоны проводимости. Из рис. 43 видно, что с повышением концентрации примеси область истощения примеси начинается при более высоких температурах. [20]
В действительности концентрации доноров по и акцепторов п А изменяются постепенно и в переходной области в одном и том же месте можно встретить примесные атомы обоих сортов. Однако принятое упрощение не вносит существенных изменений в свойства р - л-перехода ним можно пользоваться при качественном описании я-влений и в ориентировочных подсчетах. [21]
Закон изменения концентрации доноров в направлении оси у совпадает с законом распределения основных носителей заряда - электронов. Так как произведение концентраций основных и неосновных носителей для данной температуры - величина постоянная, то спадание концентрации основных носителей по экспоненте в направлении у будет сопровождаться возрастанием по экспоненте концентрации неосновных носителей. Наличие отрицательного градиента концентрации дырок приводит к тому, что электроны приобретают тенденцию к распространению в направлении оси у, а дырки - в противоположном направлении. [22]
Зависимость подвижности от концентрации доноров изображена на фиг. [23]
В этом соотношении концентрация ионизированных глубоких доноров jVr зависит от времени и определяет временную зависимость емкости. [24]
В реальных р-и-переходах концентрации доноров и акцепторов отличаются на Несколько порядков. В таких несимметричных переходах практически весь обедненный слой сосредоточен в слаболегированной части. [25]
С другой стороны, концентрация доноров в эпислое должна быть достаточно высокой, что необходимо для снижения составляющей Rs, связанной с необедненной частью эпислоя ( Rse) - При глубоком охлаждении диода это позволяет избежать сильного возрастания Rs за счет вымораживания носителей. [26]
Очевидно, что увеличение концентрации доноров и акцепторов приводит к увеличению контактной разности потенциалов и уменьшению толщины - - герехода. [27]
Очевидно, что увеличение концентрации доноров и акцепторов приводит к увеличению контактной разности потенциалов и уменьшению толщины / 7 - 77-перехода. [28]
Скорость реакции как функция концентраций органических доноров описывается уравнением типа Миха-элиса - Ментен. [29]
 |
Вольтамперная характеристика лавинного р - i - п-ди-ода [ 37 ]. [30] |
Страницы: 1 2 3 4