Концентрация - донор
Cтраница 4
Величина наведенного изменения Дтг будет пропорциональна концентрации возбужденных доноров ( акцепторов) № D. Изменение Аи, связанное с возбуждением примесей светом, - после выключения освещения сохранится некоторое время, определяемое вероятностью перехода WD. A электрона с донора на акцептор. [46]
 |
Зависимость подвижности носителей заряда от температуры в примесном полупроводнике.| Зависимость удельной электропроводности невырожденного примесного полупроводника от температуры. [47] |
Опыт показывает, что с увеличением концентрации доноров ( или акцепторов) наклон прямых In а от / Т в области примесной проводимости уменьшается. Согласно (7.168) это значит, что уменьшается энергия ионизации примеси. При некоторой критической концентрации она обращается в нуль. Для элементов пятой группы в германии эта критическая концентрация составляет ЗХ XlO17 см-3, в кремнии 3 - Ю18 см-3. Полупроводник, в котором энергия ионизации примеси обратилась в нуль, называют часто полуметаллом. [48]
Математический анализ перехода с линейным градиентом концентрации доноров и акцепторов оказывается весьма сложным. Кроме того, выяснилось, что наибольшее практическое значение имеют переходы с очень тонкой переходной областью. Позже будут рассмотрены критерии понятия тонкого перехода. Для многих практических целей оказывается вполне достаточным рассматривать подобный изображенному на фиг. [49]
Наибольшая подвижность электронов для кристаллов с концентрацией доноров 10м см-3 равна 33 000 смЧв - сек. При высоких температурах она уменьшается по закону рассеяния на колебаниях решетки. [50]
 |
К определению критических значений температуры и концентрации примеси, при которых уровень Ферми попадает в зону проводимости. [51] |
Та ]: - параметр, пропорциональный концентрации доноров. [52]
Донорная примесь продиффундирует меньше, но поскольку концентрация доноров больше, чем продиффундированных акцепторов, между областью, через которую продиффундировали акцепторы и доноры вместе, и областью, через которую продиффундировали только акцепторы, образуется эмиттерный переход. [53]
Зависимость подвижности электронов при комнатной температуре от концентрации доноров изображена на фиг. Как видно из фигуры, образцы, подвергнутые термообработке, имеют в основном более высокие значения подвижности, а это означает, что компенсация в них меньше, чем в необработанных образцах. С другой стороны, соответствующие данные, относящиеся к температуре 77 К, показывают, что термообработка мало влияет на свойства InAs при этой температуре ( фиг. [54]
Донорная примесь продиффундирует меньше, но поскольку концентрация доноров больше, чем продиффундировавших акцепторов, между областью, через которую продиффундировали акцепторы и доноры вместе, и областью, через которую продиффундировали только акцепторы, образуется эмиттерный переход. [55]
Зависимость изменения наблюдаемого химического сдвига Дн от концентрации донора [ D ] 0 представлена на рис. 95, на котором можно выделить три области: область / малых концентраций донора. В этой области химический сдвиг линейно зависит от концентрации донора; область / /, в которой величина химического сдвига нелинейно зависит от концентрации донора; область / / / больших концентраций донора. В этой области величина химического сдвига не зависит от концентрации донора. [56]
Зависимость изменения наблюдаемого химического сдвига Дп от концентрации донора [ D ] 0 представлена на рис. 95, на котором можно выделить три области: область / малых концентраций донора. В этой области химический сдвиг линейно зависит от концентрации донора; область / /, в которой величина химического сдвига нелинейно зависит от концентрации донора; область / / / больших концентраций донора. В этой области величина химического сдвига не зависит от концентрации донора. [57]
Например, для кремниевого МДП транзистора при концентрации доноров Ыл 1015 - т - 101в см-3 коэффициент а согласно ( 5 - 50) составляет ( 2 - 6) 10 - 8 В1 / 2 Ф / см2, а потенциал Ферми qF согласно ( 1 - 21в) - около 0 3 В. UOB лежит в пределах 1 - 2 В. [58]
Величина гр может быть увеличена путем повышения концентрации доноров в полупроводнике. Практически для этого достаточно ввести примесь на глубину нескольких средних длин свободного пробега носителей от границы контакта. [59]
Страницы: 1 2 3 4