Концентрация - донор
Cтраница 3
Когда заряд р превысит концентрацию доноров, распределение потенциала в i-слое изменится и максимум поля переместится к границе и-слоя, где также образуется область сильного умножения. [31]
Пусть образец GaAs с концентрацией доноров ND см 3 и акцепторов NA см-3 имеет донорный уровень, расположенный весьма близко к зоне проводимости, и акцепторный уровень с энергией, меньшей на величину ЬЕ. В высокоомном GaAs, согласно Уэлану и Уитли [101], ЬЕ 0 54 эв, согласно Вейсбергу, Роси и Хэркар-ту [98], - 0 7 эв, а согласно Томпсону 2), - 0 68 эв. [32]
Электроны проводимости появляются при ббль-ших концентрациях донора - 1018 см 3 в сильно легированных образцах. Они дают узкую однородно уширенную линию ЭПР. Основное состояние избыточного электрона, связанного с донором, - состояние 2Si / 2 хотя его волновая функция размазана значительно сильнее, чем для свободного атома, и имеет конечную плотность на многих соседних ядрах кремния. [33]
Еще Путли заметил, что концентрации доноров и акцепторов могут меняться необратимо, если образцы нагреваются до температур выше 800 К. Термическую генерацию доноров при температурах выше 500 К постулировал также и Скэнлон [121, 122], чтобы объяснить наблюдавшиеся им при температурах выше 500 К заметные необратимые изменения некоторых довольно чистых природных кристаллов галенита, на которых он производил измерения постоянной Холла и проводимости. Серией изящных экспериментов Бребрик и Скэнлон [123] смогли это убедительно доказать и показать, что при температурах ниже 500 К такие эффекты у PbS почти совсем не проявляются. У большинства природных кристаллов концентрация носителей тока слишком высока, чтобы в области температур до 500 К можно было наблюдать собственную проводимость и, следовательно, для определения величины ДЕ необходимы существенно более высокие температуры. [34]
В том случае, когда концентрация доноров в электронной области равна концентрации акцепторов в дырочной области, расширение области объемного заряда будет происходить равномерно как в глубь электронной, так и в глубь дырочной областей. [35]
 |
Зависимость концентрации носителей заряда в кремнии от температуры. [36] |
Как правило, чаще всего концентрации доноров и акцепторов отличаются между собой и соотношение этих величин называется степенью компенсации е, %: tn ( NA / N IQQ % для электронного полупроводника; ер ( У0ЛУд) 100 % для дырочного полупроводника. [37]
Смещение кривых вправо с увеличением концентрации доноров означает, что примеси уменьшают эффект насыщения собственного поглощения. Плотность потока, необходимая для получения заметного уменьшения к ( со), может увеличиваться за счет примесей на несколько порядков. [39]
В (7.15) - (7.16) замените концентрацию доноров [ Sioal на [ SiGa ] fSe ] при [ Se ] const и рассчитайте получившееся значение [ SiAS ] / [ SiGa ] - Ответ. [40]
В работе [1] измеренная по электропроводности концентрация доноров, созданных бомбардировкой цезием кремния р-тн-па, была в 30 раз меньше концентрации, которая определялась радиоактивным методом. [41]
Нарисуйте зависимость высоты потенциального барьера от концентрации доноров в - области p - n - перехода. [42]
При х Xjp концентрация алюминия равна концентрации доноров Nd в исходном кремнии. [43]
Зависимость начальной стационарной скорости реакции от концентрации доноров электрона имеет вид функции с насыщением и характеризуется величинами & кат и Кт. При этом значения & кат для двух субстратов различной природы практически совпадают. На рис. 68 приведена значимость & кат и Кт от рН для обоих субстратов. [44]
Например, для кремниевого МДП-транзистора при концентрации доноров ЛАД 1016 - 101в см 3 коэффициент а согласно ( 5 - 50) составляет ( 2 - 6) 10 - 8 в4 ф / см2, а потенциал Ферми fp согласно ( 1 - 21в) - около 0 3 в. [45]
Страницы: 1 2 3 4