Концентрация - заряд
Cтраница 1
 |
Распределение зарядов в поверхностном слое кремния р-типа. [1] |
Концентрация зарядов в инверсном слое зависит от напряженности электрического поля или от плотности положительного заряда на затворе. [2]
Концентрация зарядов, с которыми происходит рекомбинация неравновесных носителей, постоянна. Этот случай реализуется, например, в полупроводнике с явно выраженной примесной электропроводностью при введении неосновных носителей в небольшом количестве. Этот случай носит название линейной рекомбинации. Уравнения (1.40) решаются очень просто. [3]
Концентрации зарядов обоих знаков равны. Это может произойти в полупроводнике с проводимостью, близкой к собственной, когда равновесные концентрации носителей можно считать равными нулю. [4]
Концентрация зарядов распадающейся плазмы, находящейся в резонансной полости, может быть определена путем наблюдения за изменением резонансной частоты, которое пропорционально N. Коэффициент пропорциональности определяется приложенной частотой и геометрией полости. Зондирующий сигнал определенной частоты поглощается наиболее сильно в тот момент времени, когда мгновенное значение резонансной частоты полости оказывается равным частоте этого сигнала. Таким образом, N может быть найдено в зависимости от времени, причем время измеряется с помощью калиброванной развертки осциллографа. [5]
 |
Температурная зависимость электропроводности спектрально чистого ч - Sn и л - Sn с примесями алюминия ( в вес. %. [6] |
Вычисление концентрации зарядов по величине эффекта Холла весьма сомнительно вследствие узости запретной зоны: при небольшом содержании примесей олово должно обладать смешанной проводимостью. [7]
Рост концентрации зарядов ограничивается их объемной рекомбинацией. [8]
Рост концентрации зарядов сопровождается скинированием с переходом в состояние пространственно неоднородной плазмы. [9]
Распределение концентрации зарядов в послеразряд-ный период и при протекании нормального тока подготовки различно. Несмотря на общее увеличение зарядов в сеточном промежутке после прекращения анодного тока концентрация зарядов в районе сеточного отверстия и, следовательно, количество зарядов, проникающих в анодную область, по-видимому, уменьшается, что приводит к уменьшению чувствительности. [10]
 |
Диаграммы распределения зарядов в базах тиристора ( а и кривая обратного тока ( б в период выключения тиристора через анод. [11] |
Градиенты концентрации убывающих зарядов в граничных слоях баз, прилегающих к эмиттер ным переходам, определяются значением обратного тока 1Ь, пока граничная концентрация зарядов не спадает к нулю. [12]
Но распределение концентрации зарядов IB этой области целиком зависит от распределения концентрации электронов и положительных ионов в граничащей с нею плазме, в которой Е может составлять около 1 в / см. Напряженностью того же порядка величины должно обладать поле в окрестностях катодного пятна. При такой напряженности А составляет не более 3 - 10 - 3 см. Из этого следует заключить, что электрическое поле вообще не может быггь отнесено к числу факторов, ограничивающих применимость правила соответствия к условиям дуги. [13]
Обозначим 2 линейную концентрацию зарядов на втором проводнике. [14]
Это объясняется малой концентрацией зарядов. Примем, что двойной слой представляет собой плоский конденсатор. [15]
Страницы: 1 2 3 4