Концентрация - заряд
Cтраница 3
 |
Движение домена сильного поля вдоль образца GaAs. [31] |
При такой напряженности поля любая флуктуация концентрации зарядов в какой-либо области, например, в результате неоднородного легирования, приводит к уменьшению плотности электронов в этой области кристалла. [32]
 |
Структура диода Ганна.| Вольт-амперная характеристика диода Ганна. [33] |
При такой напряженности поля любая флуктуация концентрации зарядов в какой-либо области, например в результате неоднородного легирования, приводит к уменьшению плотности электронов в этой области кристалла. [34]
Сначала, на первом этапе выключения, концентрация зарядов на границах средней зоны или у одной из границ ( абсциссы границ этой зоны на рис. 3.42 а равны x d) падает до равновесной. Затем начинается второй этап выключения-образование ОПЗ 1 и 2 у каждой из этих границ. Под действием обратного напряжения дырки перемещаются по всей структуре влево, а электроны - вправо. К правой границе средней зоны электроны подходят из ее середины, где уровень инжекции высок, но дырки из сильно легированного л-слоя, лежащего левее этой границы, не поступают, так как в этом слое их практически нет. По мере ухода дырок и электронов из средней зоны обе ОПЗ расширяются, а квазинейтральная область 3 сужается. [35]
Для установления количественных закономерностей в поперечном распределении концентрации зарядов при наличии двуполярной диффузии выделим в столбе разряда, ограниченного цилиндрической стенкой радиуса R ( рис. 1 - 28, а), коаксиальный цилиндрический объем с внутренним радиусом г, внешним г dr и высотой 1 см. Через этот объем проходят заряды из осевого объема, где концентрация их выше, к стенкам, где концентрация их ниже. [36]
Так как а убывает логарифмически с ростом концентрации зарядов, а следовательно, при неизменной подвижности и с ростом электропроводности а, то вместо a - 4w мы приходим к условию наименьшего о, совместимого с допущением х2 хг. [37]
Вкл зависит также от температуры, которая обусловливает концентрацию неосновных зарядов. С повышением температуры напряжение переключения уменьшается. [38]
Первый член справа равен нулю, так как это концентрация заряда п однородном растворе, а раствор электрически нейтрален. Ненаписанные члены ( представленные точками) слишком малы 6 и предполагается, что они не сильно влияют на конечный результат. [39]
В соответствии с неравенством ( 91), определяющим концентрацию зарядов, критерием начала вырождения электронного полупроводника Шифрин считает случай, когда граница зоны Е совпадает с химическим потенциалом у, или когда. [40]
В тот момент, когда Е достигает значения Ек, концентрация зарядов ( п) у некоторых полупроводников перестает быть постоянной величиной и начинает возрастать с дальнейшим возрастанием электрического поля. Возрастание п приводит к уменьшению удельного сопротивления полупроводника ( Q) и при достаточно сильных электрических полях Q может уменьшиться в несколько раз. [41]
 |
Искривление границ зон вблизи поверхности и положение уровня поверхностных состояний. [42] |
Ферми в объеме и длина экранирования (11.16) определяются знаком и концентрацией зарядов в объеме. [43]
Такой тип подвижности может стать заметным при низких температурах, когда концентрация зарядов в свободной зоне кристалла мала. [44]
 |
Развитие разряда молнии. [45] |
Страницы: 1 2 3 4