Концентрация - заряд
Cтраница 2
Это объясняется малой концентрацией зарядов. Обычно значение контактного потенциала ( а следовательно, и скачка потенциала) составляет величину порядка 1 В. [16]
Таким образом, концентрация зарядов в столбе меняется в зависимости от радиуса приблизительно по параболическому закону. Если положительный столб ограничен двумя параллельными стенками, распределение имеет косинусоидальный характер. Доказательство этого предоставляется читателю. [17]
Предположим, что концентрации зарядов обоих знаков равны. Это может быть в полупроводниковом фоточувствительном слое с проводимостью, близкой к собственной. [18]
Далее по степени концентрации зарядов идет цех банкаброшный. В данном случае резко выражено преобладание частиц положительной полярности - факт, несомненно, очень серьезный, требующий дальнейшего изучения. [19]
Далее по степени концентрации зарядов идет цех банкаброшный. [20]
Рис - 98 - Концентрация заряда велел правлению предыдущей орбиты, обра - ствие гибридизации 2s - и 2Р - орбит. [21]
В то же время концентрация заряда вдоль тригональной оси сопряжена с обращением в нуль компоненты момента количества движения в этом направлении, в то время как в состояниях Ф 1 она отлична от нуля. Здесь мы имеем такую же ситуацию, как в случае / з-электрона ( I 1), состояние которого в свободном атоме трехкратно вырождено ( как уровень d & в кубическом поле) и компоненты орбитального момента количества движения которого в заданном направлении равны т О, 1 в Й - единицах. Поэтому состояние Фт можно рассматривать как эффективное / - состояние, причем индекс т О, 1 определяет компоненту момента количества движения в направлении тригональной оси. [22]
Легко оценить необходимую для этого концентрацию зарядов. [23]
Легко оценить необходимую для этого концентрацию зарядов. [24]
В тех пределах температур, где концентрация зарядов не изменяется, кривые рис. 2 дают точную зависимость обратной величины подвижности 1 / и электронов или дырок от температуры при различной их концентрации. При низких температурах этот ход достаточно хорошо может быть выражен формулой: и - С / Т3 С повышением температуры показатель степени при Т возрастает. [25]
В тех пределах температур, где концентрация зарядов не изменяется, кривые рис. 2 дают точную зависимость обратной величины подвижности Ни электронов или дырок от температуры при различной их концентрации. С повышением температуры показатель степени при Т возрастает. [26]
Зависимость ограничения статистической суммы атомов от концентрации зарядов необходимо также учитывать при рассмотрении термодинамической устойчивости. [28]
Введением деионизационного фильтра Ф достигается ослабление концентрации зарядов, диффундирующих к сетке из плазмы действующего вспомогательного разряда. [30]
Страницы: 1 2 3 4