Концентрация - заряд
Cтраница 4
На вершинах возвышающихся над землей объектов или на ее поверхности происходит концентрация зарядов противоположного знака. Для объектов с большой высотой навстречу лидеру развивается встречный канал - стример. Как только лидер достигает земли или стримера начинается главный разряд, который характеризуется протеканием по каналу тока большой величины. [46]
 |
Диаграмма плотность-температура для цезия ( а и ртути ( б. [47] |
Область классической электрон-ионной сильнонеидеальной плазмы - область II - ограничена снизу по концентрациям зарядов условием сильного взаимодействия, 7 1, а сверху - электронным вырождением. [48]
Расчет кинетики процессов, протекающих в плазме тлеющего разряда, невозможен без знания концентрации зарядов. [49]
В результате резонанса отрицательный заряд аниона распределяется по всей молекуле, что намного выгоднее концентрации заряда на одном атоме, как это имело место в алкоксид-анионе. Отсюда следует важный вывод: фенолы - более сильные кислоты, чем спирт. Это объясняется тем, что энергия, необходимая для ионизации фенола, меньше энергии ионизации спирта благодаря хорошей стабилизации феноксид-аниона ( ср. [50]
В случае чисто электронных или чисто дырочных проводников постоянная R эффекта Холла непосредственно дает концентрацию зарядов. [51]
В случае чисто электронных или чисто дырочных провод-пиков постоянная R эффекта Холла непосредственно дает концентрацию зарядов. [52]
Для того, чтобы пространственный заряд не изменял значительно напряженность электрического поля внутри кристалла, концентрации зарядов, рожденных светом, должны быть достаточно малы. Это требование будет выполняться до тех пор, пока инжектированный заряд Qi будет значительно меньше величины Cs UA, где Cs - емкость образца. Передний фронт импульса тока может уширяться из-за взаимного отталкивания носителей в слое. С другой стороны, заряд Qt должен быть достаточно большим для того, чтобы можно было однозначно зарегистрировать сигнал. Ne показан на рис. 6.5.8; регистрация этого дрейфа осуществляется путем измерения изменения падения напряжения на сопротивлении R. Как можно видеть из рисунка, электрические поля FJ и F2 по разные стороны слоя не одинаковы. Эти поля можно легко рассчитать. [53]
Если в ограниченном объеме полупроводника, например, около электрода, имеющего форму острия, повышается концентрация зарядов, то они диффундируют в окружающее пространство только в том случае, когда в исходном объеме одновременно создаются заряды обоих знаков или когда острие вносит заряды противоположного знака по сравнению с теми, которые имелись ранее. Если же острие только повышает концентрацию зарядов того знака, который и раньше определял механизм тока, то диффузия будет остановлена на небольшом расстоянии от исходного объема двойным слоем зарядов. [54]
В случае незаряженной пластины заряды изображения поведут к собиранию электрических зарядов на поверхности пластины, причем концентрация зарядов будет возрастать в направлении вниз по потоку. [55]
Подъем кривой на участке II соответствует полному закрытию сеточных отверстий оболочками при непрерывно убывающей в них концентрации зарядов и следовательно, возрастанию отрицательного поля в сеточных отверстиях. [56]
 |
Диаграмма распределения концентраций при двух значениях коллекторного напряжения UK ( а я зависимость коэффициента передачи тока от напряжения UK ( б, от тока / к ( в и температуры ( г. [57] |
Этим предельным режимам соответствуют прямые 1, 2 и 3, характеризующие ( приближенно) распределение концентрации зарядов в базе. [58]
Существованием электронных зарядов на конечных атомах в бутадиене и его аналогах, а особенно возможностью повышения концентрации зарядов в этих местах при возбуждении молекулы и объясняются реакции диенового синтеза. [59]
Пространственное разрешение записи в этом случае не ограничивается зернистостью, как в фотографическом процессе, пока велика концентрация перераспределяемых зарядов в объеме, определяемом расстоянием между интерференционными полосами в регистрируемой голограмме. Это условие сравнительно легко выполняется благодаря возможности записи голограмм при больших углах между опорным и предметным пучками. Этим же обстоятельством обусловлена возможность записи в одном кристалле многих голограмм последовательным незначительным изменением ориентации регистрирующего кристалла относительно записывающего пучка. Записанные в СЭФРМ голограммы в зависимости от свойств конкретной среды могут фиксироваться умеренным нагревом или наложением электрического поля, что обеспечивает их длительную сохраняемость. Стирание голограмм может осуществляться нагревом, засветкой и ( или) наложением электрического поля. Теоретический предел чувствительности СЭФРМ, по расчетам [93-95], составляет 10 - 5 Дж / см2, что уступает лишь галоидо-серебряным и лучшим фототермопластическим материалам. [60]
Страницы: 1 2 3 4