Концентрация - примесный атом
Cтраница 1
Концентрация примесных атомов мала, и они в основном ионизованы уже при относительно низких температурах. [1]
Концентрация примесных атомов на дислокации может расти до образования конденсированной атмосферы. [2]
 |
Влияние температуры отжига иа положение внедренных иоиов Т1 в Si при 300 К. [3] |
Концентрация примесных атомов, введенных в узлы решетки из разогнанных ионных пучков, может на несколько порядков превышать равновесную растворимость этих же атомов. Отжиг вызывает восстановление равновесной решетки. В то же время атомы группы Va, как правило, не размещаются в нормальных междуузлиях. [4]
Концентрация примесных атомов наибольшая в центре облака Коттрелла и уменьшается с удалением от него, стремясь к средней концентрации са. [5]
 |
Эффект собственной ( переход / и примесной ( переходы 2, 3 фотопроводимости в полупроводниках.| Переходы электрона из валентной зоны в зону проводимости при эффекте собственной фотопроводимости. [6] |
Концентрация примесных атомов мала, и они в основном ионизованы уже при относительно низких температурах. [7]
Если концентрация примесных атомов в решетке невелика или их радиусы близки к радиусу атомов, образующих основную решетку, то в результате образуется твердый раствор замещения. В таком растворе примесные атомы размещаются статистически в узлах решетки, обычно занятых атомами основного кристалла. Такое неупорядоченное распределение может в известных случаях перейти в упорядоченное, в результате чего образуется так называемая сверхструктура. [8]
Если концентрация примесных атомов в решетке невелика или их радиусы близки к радиусу атомов, образующих основную решетку, то в результате образуется твердый раствор замещения. В таком растворе примесные атомы размещаются статистически в узлах решетки, обычно занятых атомами основного кристалла. Такое неупорядоченное распределение может в известных случаях перейти в упорядоченное, в результате чего образуется так называемая сверх-структура. [9]
При этом концентрация примесных атомов слишком мала для образования высокопрочных выделений нитридов, а также для эффективного торможения дислокации стопорами, но достаточна для начала пластического течения. Если имплантируемые атомы располагаются преимущественно в замещающих положениях, то при достижении концентрации легирующей примеси в несколько процентов оказывается существенным упрочнение за счет образования растворов замещения. Несоответствие радиусов примесных и основных атомов решетки приводит к появлению полей упругих напряжений, блокирующих движение дислокаций. Такой механизм упрочнения характерен для модификации ионами средних и больших масс. Образование метастабильных твердых растворов и возможность значительных отклонений от правила Юм-Розери при имплантации подтверждают реальность рассмотренного механизма упрочнения. Существование деформационного механизма упрочнения при ионной имплантации подтверждается, в частности, сходством микроструктур ионно-модифицированных и деформационно-упругих материалов. [10]
При повышении концентрации примесных атомов электрон, локализованный вблизи одного из атомов примеси, начнет испытывать воздействие и со стороны других примесных атомов. [11]
В любом случае концентрация примесных атомов ( или отклонение от стехиометрии) в кристалле определяется равновесием в системе пар - кристалл при температуре кристаллизации. Коэффициент распределения зависит от температуры, поэтому однородные кристаллы можно получить только при постоянной температуре. [12]
Поверхность, где концентрация продиффундировав-ших примесных атомов, например акцепторов, равняется концентрации атомов, легирующих исходный полупроводник ( в данном случае доноров), является электронно-дырочным переходом. [13]
Здесь л0 - концентрация ионизированных примесных атомов в слое и х - направление нормали к нему. [14]
 |
Виды дислокаций. краевая ( а и винтовая ( б. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5