Концентрация - примесный атом
Cтраница 4
 |
Энергетические схемы примесных полупроводников n - типа ( а и р-типа ( б. [46] |
Однако по мере повышения температуры экспоненциально нарастающее увеличение собственной концентрации может привести к тому, что она превысит концентрацию примесных атомов и выполнится условие п - / V, причем можно пренебречь носителями, которые обусловлены примесными уровнями. В этом случае полупроводник вновь обретает свойства собственного полупроводника. [47]
Перемещение отдельной дислокации определяется многими причинами: распределением напряжений, влиянием соседних дислокаций, градиентом концентрации и локальными значениями концентрации примесных атомов, распределением вакансий, жесткостью закрепления границ, геометрией диффузионного слоя и пр. Перемещение всей совокупности дислокаций приводит к возникновению дислокационной структуры, эволюция которой сводится к развитию субструктуры. [48]
Количественный эффект упрочнения при деформационном старении определяется в первом приближении соотношением между плотностью дислокаций, введенных данной деформацией, и концентрацией примесных атомов внедрения, способных взаимодействовать с дислокациями, блокируя их. В качестве атомов внедрения в сталях выступают атомы марганца, кремния, серы, фосфата, азота. [49]
На рис. XI.5, так же как и на рис. XI.3, имеется область I, где концентрация заряженных вакансий равна концентрации примесных атомов. [50]
 |
Устройство дрейфовых транзисторов. диффузионный транзи. [51] |
В дрейфовых транзисторах перенос носителей заряда через базу осуществляется под действием ускоряющего электрического поля, которое создается за счет неравномерного распределения концентрации примесных атомов. От бездрейфовых транзисторов они отличаются также меньшей величиной поперечного сопротивления базы ГБ ( из-за увеличения концентрации основных носителей заряда около эмиттера) и большей шириной коллекторного перехода ( из-за уменьшения концентрации основных носителей заряда около коллектора), вследствие чего снижается емкость коллекторного перехода Сак и возрастает пробивное напряжение коллектора. [52]
Когда значение С exp ( F / kT), определяемое концентрацией примесей и энергией связи примесь - граница растет, и концентрация примесных атомов Сг на границах зерен стремится к 1, в соответствии с выражением ( 41) поверхностная энергия образования межзеренных трещин ос стремится к ад - поверхностной энергии примеси в элементарном состоянии. Для некоторых элементов-примесей эта последняя величина может быть ниже поверхностной энергии металла-растворителя на порядок и более, В таких сплавах можно ожидать заметного облегчения зарождения ( и роста) межзеренных хрупких трещин. [54]
Соотношения ( 35) - ( 40) позволяют в рамках использованной феноменологической модели учесть влияние на энергию межзеренного сцепления в твердом растворе таких факторов, как физико-химическая природа и концентрация примесных атомов, свободная энергия F связи примесей с границами зерен, температура отжига Т ( или эксплуатации, - если равновесное распределение примеси между объемом и границами зерен устанавливается в процессе службы материала, например, в жаропрочных сплавах), энергия границ, а также их адсорбционная емкость Г и концентрация центров адсорбции а на границах зерен. [55]
В рассмотренных случаях, когда и примесный атом, и собственные атомные дефекты принимают или отдают только один электрон ( создавая один уровень в запрещенной зоне), механизм внедрения не зависит от концентрации примесного атома, а лишь от активности компонентов основного соединения. Это хорошо видно из рис. XVI. II линии неосновных и основных дефектов параллельны и, таким образом, не могут никогда пересечься, что свидетельствовало бы о появлении конкурирующего механизма внедрения. Однако если собственные атомные дефекты создают два уровня в запрещенной зоне, то картина будет иной. Например, предположим, что вакансии VM в кристалле MX могут действовать как двойные акцепторы. [56]
Отметим, что система уравнений (2.101), определяющая ширину области объемного заряда, может быть решена только для двух теоретических моделей p - n - перехода: со ступенчатым и линейным законами распределения концентраций примесных атомов. [57]
Для получения туннельного эффекта используют вырожденные полупроводники, отличающиеся от обычных повышенной концентрацией примесей, которая достигается усиленным введением примесей ( легированием) р - и n - областей перехода. Концентрация примесных атомов в легированном полупроводнике достигает 1019 в 1 см3 по сравнению с 1015 в 1 см3 в невырожденном полупроводнике. Из-за повышенной концентрации примесей р - п-пере-ходы имеют небольшие удельные сопротивления и малую толщину. [58]
Проводимость, обусловленную наличием примесей, называют примесной проводимостью. Концентрация примесных атомов в германии, используемом для изготовления диодов, составляет в большинстве случаев от 10 - 6 до 10 - 8 числа атомов основного материала. [59]
 |
Прямое включение симметричного р-л-переходя. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5