Концентрация - примесный атом
Cтраница 3
Теоретический результат зависимости теплоемкости, например, слабого твердого раствора от концентрации примесных атомов и температуры, оказался в хорошем согласии с экспериментальными результатами, имевшимися до 1962 г., и был подтвержден более поздними измерениями советских и зарубежных физиков. Эта добавочная часть сопротивления была обнаружена экспериментально в 1963 - 1964 гг. в результате тщательных измерений французских физиков. [31]
При термообработке стекол выше 800 - 900 К на их поверхности увеличивается концентрация примесных атомов, в частности бора и алюминия [85], которые обладают электроно-акцепторными свойствами при адсорбции пиридина, анилина, и-диметиламиноазобензола и др. Введение в стекло примесных атомов, способных к образованию координационно ненасыщенных центров, приводит к усилению взаимодействия полимеров с поверхностью стекла и ее каталитической активности в реакциях, протекающих на границе раздела, в том числе и в реакциях термической и термоокислительной деструкции наполненных полимеров. [32]
 |
Строение хрупких изломов образцов стали СтЗсп, вырезанных из стенки декомпозера А. ПЭМ. х 1200. [33] |
Вследствие электрохимической гетерогенности поверхности и повышенной активности приграничных зон, связанных с концентрацией примесных атомов, концентрацией напряжений и ослаблением защитной пленки, локализованной на границе, процесс электрохимической коррозии вызывает появление микрокоррозионного повреждения. Это повреждение перерастает в трещину в результате совместного влияния электрохимической коррозии и растягивающих напряжений. Адсорбирующиеся в вершине трещины ионы облегчают развитие трещины. [34]
Я 1 / тизот - w4 ( где / - коэффициент, пропорциональный концентрации примесных атомов Nt и разности их масс в квадрате / - Nt ( ДМ) 2); при рассеянии на границах кристалла время релаксации не зависит от частоты. В реальных кристаллах основную роль в фононнои теплопроводности при низких температурах играет рассеяние фононов на статических несовершенствах кристаллической решетки. [35]
Измерение ВТ при фиксированных амплитудах деформации и постоянной температуре дает возможность оценить изменение концентрации примесных атомов на дислокациях и степени их закрепления в ходе деформационного старения. [36]
 |
Структура кремния. [37] |
Образующаяся концентрация свободных электронов при этом в типичных случаях почти равна или несколько меньше концентрации примесных атомов. Ясно, почему это происходит: для образования четырех валентных связей у атома бора не хватает одного электрона. Этот электрон он забирает из валентной зоны кремния, в которой образуется таким образом дырка. Иными словами, кремний становится дырочным полупроводником. Здесь мы, разумеется, сделали одно предположение, которое в действительности не соблюдается. Мы предположили, что до легирования полупроводник был беспримесным, химически чистым и обладал к тому же совершенной кристаллической структурой. На рис. 8 показан фрагмент правильной кристаллической решетки кремния. Она содержит только атомы кремния и бесконечно простирается во всех трех направлениях пространства. [38]
Из приведенных рассуждений становится понятной различная чувствительность уКр и Lc из С % к концентрации примесных атомов, сегрегирующих у дислокаций, хотя и в том, и в другом случае полного отрыва не происходит. Величина YKp зависит от концентрации C N через зависимость - cmax / ( [ C N ]), которая может быть различной при одинаковом среднем Lc. В то же время Lc определяется из С2, в условиях уже происшедшего отрыва дислокаций от ближайших примесных атомов. Это есть, по-видимому, среднее значение дислокационного сегмента. C N, при которой заняты все возможные места наиболее сильного взаимодействия с дислокациями. [39]
Из (1.52) видно, что толщина области пространственного заряда больше там, где меньше концентрация примесных атомов. [40]
По мере удаления от ядра дислокации энергия взаимодействия примесей с нею уменьшается и резко падает концентрация примесных атомов. Поэтому на расстоянии г За примеси не могут собираться в устойчивое облако из-за теплового движения, рассасываются. Чем выше температура, тем меньше концентрация примесных атомов, образующих облако, а устойчивые образования, возникшие при более низких температурах, могут с повышением температуры рассасываться. При некоторой температуре TI облако оказывается насыщенным - число примесных атомов вдоль оси дислокации приближается к предельному: С - С, которому соответствует максимальное использование свободного объема. Можно показать, что для полной блокировки дислокаций необходимо очень малое содержание примеси в решетке основного металла. Например, концентрация атомов примеси, необходимая для образования плотных рядов на всех дислокациях, будет пропорциональна NA2, где N - плотность дислокации, Д - межатомное расстояние. Взяв N 108 см-2 и А 3 10 - 8 см, получим концентрацию атомов примеси всего лишь 10 - 5 % ( ат. [41]
Подвижность носителей заряда зависит от многих факторов, важнейшими из которых являются температура Т, концентрация примесных атомов N я напряженность электрического поля при ЕЕхр. Зависимость подвижности от температуры определяется механизмом рассеяния носителей заряда. Рассмотрим основные из механизмов рассеяния - на тепловых колебаниях решетки и ионизированных примесях, учитывая, что первый из них является определяющим при высоких, а второй - при низких температурах. [42]
Поэтому электропроводность слоев, полученных ионным легированием, существенно отличается - от электропроводности, вычисленной исходя из концентрации введенных примесных атомов. Степень отличия этих двух величин называется коэффициентом использования вводимых ионов. [43]
Ферми, для которого / п0 5, смещаются тем выше относительно середины запрещенной зоны, чем больше концентрация примесных атомов. [44]
К, - постоянная величина, пропорциональная площади р-п-перехода; п - показатель степени, определяемый характером распределения концентраций примесных атомов вблизи р-п-пе-рехода. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5