Концентрация - примесный атом
Cтраница 2
Дислокации служат местом концентрации примесных атомов, в особенности примесей внедрения, так как это уменьшает искажения решетки. Примесные атомы образуют вокруг дислокации зону повышенной концентрации, которая мешает движению дислокаций и упрочняет металл. [16]
 |
Зависимости напряжения, поглощения нени сдвиговой ( а и продольной ( б волн. [17] |
Ниже температуры конденсации Тс концентрация примесных атомов вокруг дислокации становится предельной и далее не меняется ввиду низкой диффузионной подвижности атомов. [18]
 |
Распределение концентрации. [19] |
Приведенные результаты расчета распределения концентрации примесных атомов для двустадийных диффузионных процессов позволяют заключить, что при формирований базовых областей большинства эпитаксиально-планарных транзисторов интегральных схем диффузия идет из ограниченного источника. Это непосредственно следует из соотношения длительностей и коэффициентов диффузии, характеризующих процессы загонки и разгонки. Однако заметим, что формулы, описывающие распределение диффундирующих атомов примеси, были получены в предположении, что диффузионный процесс осуществляется из источника, содержащего примеси в элементарном состоянии. В технологии изготовления серийных интегральных схем донорные и акцепторные примеси, как правило, диффундируют соответственно из химических соединений фосфора и бора, причем одновременно с процессами диффузии на обеих стадиях происходит окисление поверхности кремниевой пластины. [20]
Возрастание пластичности связано с уменьшением концентрации примесных атомов, увеличением размера зерна, изменением уровня остаточных напряжений, подавлением столбчатой структуры. [21]
Сначала обсудим тот случай, когда концентрация примесных атомов остается постоянной. Это соответствует частичному равновесию в предположении, что переход F из кристалла в другие фазы прекращается, но все другие реакции протекают без изменения. [22]
Максимальная напряженность поля возрастает при увеличении концентрации примесных атомов. При обратном смещении перехода области пространственного заряда вытягиваются к границам полупроводникового кристалла. [23]
Восприимчивость xs существенно зависит от типа и концентрации примесных атомов в полупроводнике, а при неполной их ионизации - и от температуры. [24]
Теперь рассмотрим кристалл, в котором постоянна не концентрация примесных атомов ( частичное равновесие), а их активность. [25]
 |
Стационарная концентрация примеси вблизи растущего кристалла для k при различных скоростях роста v ( Бартон, Прим, Слихтер. [26] |
Однако оно не учитывает того, что при кристаллизации концентрация примесных атомов, захваченных кристаллом, совпадает с концентрацией их в расплаве лишь в том случае, когда перенос атомов между фазами отсутствует. [27]
 |
Вольт-амперные рационный ток пропорционален первой. [28] |
В большинстве случаев в ИМС используют р-п-переходы, у которых концентрация примесных атомов в одной из областей значительно больше, чем в другой. [29]
Поэтому со снижением V ( с удалением от центра дислокации) концентрация примесных атомов в районе дислокации должна снижаться: атмосфера или сегрегация становится более разбавленной. При сравнительно низких температурах, когда V kT, уравнение ( 20) уже не может описывать распределение примесных атомов в атмосфере, так как это распределение будет определяться только энергией связи примесных атомов с дислокацией. В таких условиях атмосфера, по выражению Коттрелла, становится конденсированной. Последнее означает, что все места достаточно сильного взаимодействия оккупируются примесными атомами и вероятность их нахождения в этих позициях практически равна единице. Температура, ниже которой атмосфера конденсирует, будет, по-видимому, неодинаковой для позиций с различными энергиями связи. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5