Концентрация - носитель
Cтраница 1
Концентрация носителей в коллекторной области несколько меньше, чем в области эмиттера, но значительно больше, чем в области базы: ркрэ, РК Б - Вследствие этого с ростом отрицательного напряжения t / KB расширяется коллекторный переход и соответственно сужается база, благодаря чему уменьшается риск пробоя перехода, но повышается вероятность пробоя базы - прокол базы. Эффект сужения базы называется модуляцией базы. [1]
 |
Схема ионно. [2] |
Концентрации носителей пир также определяются ф-лой ( 5), но с другим значением Ер. Ер расположен ближе к Ес л в дырочном - к Еу. Ер, то оно не зависит от содержания примесей. [3]
Концентрация носителей в пленках с га-проводимостью равна 1017 см-3 и приблизительно соответствует уровню легирования материала источника; это означает, что при распылении материал переносится без изменения состава. Подвижность носителей в пленках при 77 К составляет 1930 см2 / в-сек и тоже имеет величину как у соответствующих массивных кристаллов. [4]
Концентрация носителей является функцией времени и координат. [5]
Концентрация носителей на поверхности полупроводникового кристалла существенно зависит от концентрации адсорбированных в окисной пленке молекул окислителей или восстановителей, кислот или оснований, а также молекул воды и других полярных веществ. При этом молекулы кислот и окислителей увеличивают концентрацию дырок, а молекулы восстановителей, оснований, воды и других полярных веществ обогащают поверхность полупроводника электронами. [6]
Концентрация носителей на поверхности кристаллов, выдержанных или прогретых в атмосфере сухого воздуха, близка к собственной. [7]
Концентрация носителей и скорость рекомбинации на поверхности кристалла должны иметь такие значения, которые обеспечивали бы оптимальные параметры полупроводникового прибора, а именно: низкий уровень обратных токов, высокие пробивные напряжения и большие коэффициенты усиления. Отсюда следует, что окружающая прибор атмосфера должна иметь не только постоянный, но и вполне определенный химический состав. В связи с этим рассмотрим влияние адсорбированных в окис-ной пленке молекул на перечисленные выше параметры. [9]
Концентрации носителей в приповерхностном слое меньше равновесных; соответственно меняются знак объемного заряда, направление полей, а также направления потоков носителей. [10]
Концентрация носителей в металлах отлична от нуля даже при абс. [12]
Концентрация носителей для нижней кривой составляет 2 3 10 м - Верхние кривые соответствуют чистым образцам. [13]
Концентрация носителей близка к собственной, Г300 К. [14]
Концентрация носителей на границе р - - перехода определяется напряжением V0, приложенным к р - - переходу. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5