Концентрация - носитель
Cтраница 2
 |
Зависимости энергии активации ЕА от концентрации Nо легирующей примеси в поликристаллических пленках Si, полученных химическим осаждением из паровой фазы. [16] |
Концентрация носителей в этих пленках составляет около 1020 см-3. [17]
 |
Температурная зависимость коэффициента отражения света от поверхности золота (. /, меди (., 5 и алюминия ( 4, 5 при нормальном падении. Длина волны. 1 06 мкм ( 1, 2 4 п 0 69 мкм ( 1, 3, 5. [18] |
Концентрация носителей в металлах остается практически неизменной. На рис. 4.3 показано, как изменяется с температурой коэффициент отражения света с разными длинами волн от поверхности металлов ( Аи, Си, А1) при нормальном падении. Эти графики получены расчетным путем [4.12] и носят качественный характер. В дальнейшем расчетная модель была усовершенствована [4.13], но хорошего согласования между расчетными и экспериментальными кривыми R ( 9) достичь не удалось. [19]
Концентрация носителей в этом кольце на границе с эмиттером равна рпехр ( eUs / kT), а на границе с коллектором равна нулю. [20]
Концентрация носителей в базовой области в таких приборах составляет около 1018 CM S, а ее толщина 2 - 3 мк, что позволяет повысить предельную частоту va до 100 Мгц при низком сопротивлении базы. [21]
 |
Зависимость Д. от и, получен. [22] |
Концентрация носителей р может также изменяться с изменением температуры, но важно подчеркнуть, что переходы из одной области в другую определяют температурную зависимость эффективной подвижности. [23]
Концентрация носителей перестает расти и поэтому с повышением температуры падающая подвижность сначала сдерживает рост проводимости, а затем меняет знак daldT - электропроводность начинает падать. Лишь с достаточным приближением к области собственной проводимости температурный коэффициент электропроводности становится снова положительным, на сей раз за счет быстрого роста с температурой концентрации собственных носителей. Теория предвидит, что при дальнейшем очень значительном повышении температуры кривая электропроводности собственного полупроводника может снова уменьшить крутизну хода - свидетельство приближения к собственной области насыщения. [24]
Концентрация носителей перестает расти и поэтому с повышением температуры падающая подвижность сначала сдерживает рост проводимости, а затем меняет знак da / dT - электропроводность начинает падать. Лишь с достаточным приближением к области собственной проводимости температурный коэффициент электропроводности становится снова положительным, на сей раз за счет быстрого роста с температурой концентрации собственных носителей. Теория предвидит, что при дальнейшем очень значительном повышении температуры кривая электропроводности собственного полупроводника может снова уменьшить крутизну хода - свидетельство приближения к собственной области насыщения. [25]
Концентрации носителей и подвижности, приведенные в табл. 2, были вычислены из данных при комнатной температуре по гальваномагнитным эффектам в плоскостях слоев высоко графитизированных пиролиз-ных углеродных осадков. Они удовлетворительно согласуются с предсказаниями, которые можно сделать из общепринятой зонной модели графита. [26]
Концентрации носителей па и ра называют равновесными; они устанавливаются при наличии термодинамического равновесия. В таком полупроводнике скорость тепловой генерации носителей заряда ( генерации за счет теплового возбуждения) равна скорости их рекомбинации. Поэтому п и ра остаются постоянными при неизменной температуре. В собственном беспримесном полупроводнике По / 70; носители генерируются и рекомбинируют парами. В примесных полупроводниках с донорными примесями ( п-полу-проводниках) п0ра, а в полупроводниках с акцепторными примесями ( р-полупроводниках) П0р0; здесь наряду с парными процессами происходят также одиночные процессы генерации и рекомбинации носителей. [27]
Концентрация носителей любого знака вблизи контактной поверхности полупроводника не превышает существенно концентрации основных носителей в объеме кристалла. [28]
Концентрацию носителей естественно разлагать на две составляющие - равновесную и неравновесную. Равновесной называется концентрация, определяемая температурой, а неравновесной - определяемая внешними агентами, в нашем случае светом. [29]
Концентрацию носителей электрического тока ( электронов и дырок) можно изменять, воздействуя па полупроводник светом, частота которого достаточна для того, чтобы переводить электроны из валентной зоны в зону проводимости. При включении источника света концентрация носителей начинает увеличиваться, приближаясь к новому - большему - значению. При выключении света она уменьшается до прежней величины. Время установления нового значения ( или возврата к старому) сильно меняется от образца к образцу. Это происходит потому, что указанное время зависит не только от количества донорных и акцепторных примесей в полупроводнике, но и от количества и вида имеющихся в кристалле дефектов. Дефекты играют для электронов и дырок роль ловушек и существенно убыстряют рекомбинацию: от - 10 - 2 с в очень чистых и тщательно изготовленных: образцах до 10-в с в образцах худшего качества. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5