Концентрация - носитель
Cтраница 3
 |
Фсрритдиодная схема. а - петля гистерезиса феррита. б - принципиальная схема фер-ритдиодной ячейки. в - временная диаграмма.| Однотактный регистр сдвига на феррит-диодной ячейке. [31] |
Когда концентрации носителей п и р меняются по длине образца и, и ip оказываются, как это видно из ф-л ( 4), различными в разных точках. [32]
Если концентрации носителей одного знака в обоих соприкасающихся кристаллах больше концентраций носителей другого знака, то образуются р - р или п - п переходы. Знак плюс в данных обозначениях указывает на область с большей концентрацией основных носителей. [33]
Если концентрация носителей станет меньше равновесной величины ( pnini2), то возникает процесс генерации носителей, который продолжается до восстановления состояния теплового равновесия. Генерацию носителей можно объяснить как процесс, обратный трем описанным типам рекомбинации. А именно: а - генерация носителей с поглощением кванта света; б - ударная ионизация с образованием электронно-дырочной пары в результате столкновения с носителем, обладающим высокой энергией ( см. раздел 2.4); в - генерация носителей под действием теплового возбуждения. [34]
 |
Ферритдиодная схема. а - петля гистерезиса феррита. б - принципиальная схема фер-ритдиодпой ячейки. в - временная диаграмма.| Однотактный регистр сдвига на феррит-диодной ячейке. [35] |
Когда концентрации носителей п и р меняются по длине образца [ г и ц, оказываются, как это видно из ф-л ( 4), различными в разных точках. [36]
Хр концентрации носителей характеризуются их равновесными значениями. [37]
Эф концентрация носителей может отличаться от средней по толщине даже в том случае, если Холл-фактор Ак равен единице. [38]
При концентрации носителей, равной 1 4 - 1018 см-з, интенсивности поляризованной и деполяризованной компонент примерно равны. [39]
 |
Зависимости удельного сопротив. [40] |
Такие концентрации носителей соответствуют полупроводниковым материалам с довольно большой концентрацией примесей. Отсюда следует, что для каждого термоэлектрического материала необходим подбор д опорных или акцепторных примесей, обладающих достаточной растворимостью в данном веществе. [41]
Поскольку концентрация носителей нелегированного HgSe обычно находится в пределах 1017 см-3, то на электрофизические свойства материала будут оказывать влияние лишь те посторонние примеси, которые обладают высокой растворимостью. Изучение процессов диффузии в этом соединении связано с экспериментальными трудностями из-за сильной сублимации даже при сравнительно низких температурах. Из-за сублимации разрыхляется при нагреве поверхностный слой, и вследствие этого на объемную диффузию накладывается диффузия по границам отдельных зерен разрыхленной поверхности. [42]
 |
Содержание кластеров в масс-спектрах монокристаллов кремния. [43] |
При концентрации носителей п Ю18 см 3 суммарная концентрация комплексов мала и составляет не более Ю 7 ат. [44]
 |
Потенциальные диаграммы p - n - перехода при прямом ( а и обратном ( б смещениях. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5