Концентрация - носитель
Cтраница 4
Распределение концентрации носителей иллюстрируется графиками для прямого ( рис. 1.24, а) и обратного ( рис. 1.24, б) смещений. [46]
Увеличение концентрации носителей, происходящее главным образом в нижней части базы ( рис. 2 - 29), приводит к уменьшению ее сопротивления, причем уменьшается и внутреннее падение напряжения Um - Это содействует увеличению прямого тока через р-п переход. [47]
Контроль концентрации носителей в технологии полупроводников занимает такое же место, как и технология красителей в текстильной промышленности. Наиболее важным условием достижения чистоты цвета тканей является тщательное отбеливание свежесотканного полотна. Аналогично, предшествующая легированию очистка полупроводников от электрически активных примесей является важнейшим этапом технологии для управления типом и концентрацией носителей заряда. [48]
 |
Возможный механизм избыточного тока с участием примесных уровней глубокого залегания. [49] |
Для концентраций носителей 6 1019 см-3 и площадей 10 - 5 см2 диффузионный ток имеет величину порядка 10 - 9 а. Кроме диффузионного тока, в туннельном диоде имеется составляющая тока генерации в области пространственного заряда. [50]
Распределение концентрации носителей и ход потенциалов в переходной области - р - га-переходе - определяются распределением примесей. [51]
 |
Возможный механизм избыточного тока с участием примесных уровней. глубокого залегания. [52] |
Для концентраций носителей б Ю19 смгъ и площадей 10 - 5 см2 диффузионный ток имеет величину порядка 10 - 9 а. Кроме диффузионного тока, в туннельном диоде имеется составляющая тока генерации в области пространственного заряда. [53]
Распределение концентрации носителей и ход потенциала в переходной области - р-п-переходе - определяется распределением примесей. [54]
Увеличение концентрации носителей с ростом температуры приводит к возрастанию темнового тока. [55]
 |
Структура электрического домена.| Энергети ческие зоны полупроводника в сильном электрическом поле. [56] |
Увеличение концентрации носителей в этом случае осуществляется за счет туннельного перехода электронов из валентной зоны в зону проводимости. [57]
Поведение концентрации носителей в частично компенсированном полупроводнике в области собственной проводи-мости, очевидно, аналогично поведению чисто донорного полупроводника с одним типом доноров. [59]
При концентрациях носителей, превышающих указанные критические величины, неосновной носитель с большей вероятностью совершает переход на притмесный уровень, а при меньших концентрациях - межзонный переход. При повышении температуры рекомбинация через примеси становится менее существенной из-за термической ионизации. Таким образом, концентрации носителей, при которых упомянутые вероятности перехода равны, уменьшаются при понижении температуры. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5