Концентрация - носитель - заряд
Cтраница 1
Концентрация носителей заряда в элементарном объеме полупроводника изменяется в результате генерации и рекомбинации носителей, а также из-за различия величин токов, втекающих и вытекающих из данного объема. Как отмечалось в § 1.8, движение носителей заряда обусловлено двумя процессами: диффузией и дрейфом. Следовательно, общее количество носителей в данном объеме полупроводника определяется непрерывными физическими процессами, протекающими в нем: генерацией, рекомбинацией, диффузией и дрейфом носителей. [1]
Концентрация носителей заряда и их подвижность являются характеристическими параметрами полупроводника. Измерение удельной проводимости полупроводников позволяет определить только произведение этих двух параметров. [2]
Концентрация носителей заряда не нормируется, но указывается в паспорте. Для высокоомных образцов указывается только удельное сопротивление. [3]
Концентрация носителей заряда в области перехода изменяется плавно от значения пп в электронной до значений пр в дырочной области и от рр в дырочной до рп в электронной. Следовательно, в области перехода имеет место пониженная концентрация свободных носителей. Иначе этот слой называют обедненным основными носителями заряда. Появление его сопровождается образованием вблизи р - - перехода двойного электрического слоя, препятствующего движению через р - - переход основных носителей. Таким образом, по отношению к основным носителям обедненный слой имеет повышенное сопротивление, поэтому его называют запирающим. [4]
Концентрация носителей заряда в карбазоле мала, поэтому величина магнитной восприимчивости определяется кристаллической решеткой. [5]
Концентрация носителей заряда описывается распределением Больцмана. [6]
Концентрация носителей заряда изменяется от рр до рп и от пр до пп при переходе через область пространственного заряда. Величины рр и рп представляют собой концентрации дырок соответственно в полупроводнике р - и и-типа. [7]
Концентрация носителей заряда в элементарном объеме полупроводника может изменяться за счет генерации и рекомбинации носителей, а также вследствие различия в величинах втекающего и вытекающего токов. [8]
Концентрация носителей заряда является функцией степени ионизации атомов примеси и основного материала. [9]
Концентрация носителей заряда в полупроводниках при комнатной температуре значительно меньше, чем в металлах. Поэтому удельное сопротивление полупроводников обычно больше, чем металлов. При понижении температуры удельное сопротивление полупроводника увеличивается - он все больше становится похожим на диэлектрик. [10]
 |
Температурная зависимость подвижности в образцах арсенида галлия. [11] |
Концентрация носителей заряда, в рабочей области кристалла обычно составляет 1015 - 1016 см-5. Нарушения: однородности внутри, или на поверхности кристаллов приводят к неоднородностям электрического поля и пробою, при низких значениях напряжения. [12]
 |
Метод определения типа электропроводности полупроводников. а - при помощи эффекта Холла, б - при помощи нагрева одного из концов испытуемого полупроводника. [13] |
Концентрация носителей заряда и их подвижность являются характеристиками полупроводника. [14]
Концентрация носителей заряда п их подвижность являются характеристическими параметрами полупроводника. Измерение удельной проводимости полупроводников позволяет определить только произведение этих двух параметров. [15]
Страницы: 1 2 3 4