Концентрация - носитель - заряд
Cтраница 4
 |
Зависимости холловской подвижности электронов и дырок в кремнии от концентрации носителей заряда. [46] |
Если распределение концентрации носителей заряда по толщине слоя известно, то полную концентрацию определяют путем интегрирования профиля по всей толщине образца. Вследствие неполной ионизации примесей при их высокой концентрации количество носителей заряда в слое может быть меньше количества внедренных примесей. На рис. 2.11 приведены зависимости холловской подвижности электронов и дырок в кремнии от их концентрации; сплошными линиями представлены зависимости для некомпенсированного однородного материала, пунктиром - для ион-но-легированных слоев. [47]
При отклонении концентраций носителей заряда от равновесных значений тг и р0 нарушается баланс между процессами тепловой генерации, с одной стороны, и захватом носителей на локальные центры или убылью носителей за счет межзонных переходов, с другой. [48]
Сильная зависимость концентрации носителей заряда в полупроводниках от температуры показывает, что в этом случае электроны проводимости возникают под действием теплового движения. В полупроводниках атомное взаимодействие само по себе еще недостаточно для отщепления электронов от атомов и превращения их в электроны проводимости. Для этого даже наиболее слабо связанным электронам нужно сообщить некоторую добавочную энергию, которая и заимствуется из энергии теплового движения. [49]
Сильная зависимость концентрации носителей заряда в полупроводниках от температуры показывает, что в этом случае электроны проводимости возникают под действием теплового движения. В полупроводниках атомное взаимодействие само по себе еще не достаточно для отщепления электронов от атомов и превращения их в электроны проводимости. [50]
Скорость изменения концентрации носителей заряда зависит от избыточной концентрации, ее градиента и пространственной производной градиента. [51]
В чистых полупроводниках концентрация носителей заряда - свободных электронов и дырок - составляет лишь 101в - 1018 на 1 см3 вещества. [52]
 |
Температурные зависимости подвижности нгси-телей заряда при различных концентрациях примесе.| Температурные зависимости удельной проводимости полупроводника при различных концентрациях примесей. [53] |
Удельная проводимость пропорциональна концентрации носителей заряда и их подвижности. Поэтому температурная зависимость удельной проводимости похожа на температурную зависимость концентрации носителей при очень малых и при больших температурах. [54]
В слое оксида концентрация носителей заряда ничтожно мала. Такие поверхностные состояния называют медленными поверхностными состояниями. Время релаксации медленных поверхностных состояний составляет обычно от миллисекунд до нескольких часов. [55]
 |
Температурная зависимость электропроводности собственных полу. [56] |
При данной температуре концентрация носителей заряда и проводимость собственных полупроводников определяется шириной их запрещенной зоны. Это наглядно видно и данных табл. 7Л, в которой приведена ширина запрещенной зоны и удельное сопротивление элементов IV группы таблицы Д. И. Менделеева, имеющих решетку типа алмаза. С уменьшением ширины запрещенной зоны с 1 12 ( кремний) до 0 08 эВ ( серое олово) удельное сопротивление при комнатной температуре уменьшается на 9 порядков. [57]
Типы проводимости и концентрации носителей заряда варьировались изменением длительности отжига в инертной среде ( см. разд. Достоинство такого метода - возможность исследовать широкий набор концентраций практически на одном образце. Как показали рентгеноструктурные исследования, при таком отжиге ( Т ж - 300 С) не происходит существенных изменений в структуре пленки. [58]
Страницы: 1 2 3 4