Концентрация - носитель - заряд
Cтраница 3
Повышение концентрации носителей заряда вследствие генерации их светом вызывает повышение проводимости полупроводника. Эту дополнительную проводимость называют фотопроводимостью в отличие от темновой проводимости, обусловленной тепловым возбуждением носителей. [31]
Увеличение концентрации носителей заряда может привести к тому, что на зависимости тока от напряжения I f ( U) появится участок отрицательного дифференциального сопротивления. [32]
Изменение концентрации носителей заряда при освещении подчиняется экспоненциальному закону с постоянной времени, равной времени жизни неравновесных носителей заряда. [33]
Определение концентрации носителей заряда неотделимо от определения уровня Ферми. [34]
 |
Зависимость концентрации носителей заряда в пленках РЬТе от парциального давления. [35] |
На концентрацию носителей заряда в пленках влияет также температура подложки. Диаграмма, связывающая давление пара теллура, температуру подложки и концентрацию носителей заряда в пленках, приведена на рис. 21.33. Качественное объяснение полученных зависимостей основано на предположении, что равновесная Р - Т - у диаграмма справедлива в области низких. [36]
Так как концентрация носителей заряда в примесных полупроводниках превосходит концентрацию носителей заряда в собственном полупроводнике, то сопротивление полупроводника с примесью одного типа меньше сопротивления чистого вещества. Другими словами, введение примеси ( легирование) в полупроводниковое вещество понижает его сопротивление. [37]
Выражение для концентрации носителей заряда и для уровня Ферми в слабом магнитном поле не отличается от соответствующих выражений в полупроводнике без магнитного поля. В сильном магнитном поле соответствующие выражения существенно видоизменяются. [38]
Так как концентрация носителей заряда в примесных полупроводниках превосходит концентрацию носителей заряда в собственном полупроводнике, то сопротивление полупроводника с примесью одного типа меньше сопротивления чистого вещества. Другими словами, введение примеси ( легирование) в полупроводниковое вещество понижает его сопротивление. [39]
Выражение для концентрации носителей заряда и для уровня Ферми в слабом магнитном поле не отличается от соответствующих выражений в полупроводнике без магнитного поля. В сильном магнитном поле соответствующие выражения существенно видоизменяются. [40]
Скорость изменения концентрации носителей заряда зависит от избыточной концентрации, ее градиента и пространственной производной градиента. [41]
Температурная зависимость концентрации носителей заряда, полученная из холловских измерений при 4 - 300 К, позволяет определять энергию ионизации основной легирующей примеси, по ее величине произвести идентификацию примеси [55], а также определить степень компенсации примесями, имеющими заряд противоположного знака. [42]
Сильная зависимость концентрации носителей заряда в полупроводниках от температуры показывает, что в этом случае электроны проводимости возникают под действием теплового движения. В полупроводниках атомное взаимодействие само по себе еще не достаточно для отщепления электронов от атомов и превращения их в электроны проводимости. Для этого даже наиболее слабо связанным электронам нужно сообщить некоторую добавочную энергию W - энергию ионизации, которая и заимствуется из энергии теплового движения тела. [43]
 |
Уменьшение напряжения включения р-п - р-я-структуры из кремния повышением температуры. [44] |
Заметное увеличение концентрации носителей заряда, а следовательно и / КБ0, происходит при температурах выше 120 С. Уменьшение Vcp до нуля происходит при Т160 - 170 С. [45]
Страницы: 1 2 3 4