Концентрация - носитель - заряд
Cтраница 2
 |
Температура электронов и. [16] |
Концентрация носителей зарядов или степень ионизации компонент газа плазмы при заданной температуре и давлении характеризуют состав плазмы. [17]
Концентрация носителей заряда в области р - га-перехода уменьшается, так как электроны и дырки отсасываются ( экстрагируются) полем из этой области в глубь полупроводника. [18]
Концентрация носителей заряда в запорном слое вследствие процесса экстракции еще более уменьшится, что равноценно резкому увеличению сопротивления слоя. [19]
Концентрация носителей заряда обычно 1014 - 10 см-3, а длина образцов от нескольких единиц до нескольких сот микрон. [20]
 |
Схема зонной структуры германия, легированного примесью меди. [21] |
Концентрация носителей заряда ( дырок) в этом случае зависит от количества введенной меди, а легированный медью германий будет иметь р-тип электропроводности и низкое удельное электрическое сопротивление, так как при комнатной температуре атомы меди на уровне 0 04 эВ полностью ионизованы. По мере увеличения степени компенсации концентрация основных носителей заряда ( дырок) уменьшается, в результате чего удельное электрическое сопротивление возрастает. [22]
Концентрация носителей заряда в отдельных эпитаксиальных слоях различна. Наименьшую величину (: 1014 см-3) она имеет в буферных слоях, осаждаемых непосредственно на подложку, которую для структур, предназначенных для полевых транзисторов, изготовляют из полуизолирующего арсенида галлия. [23]
Концентрация носителей зарядов ns или степень ионизации xs компонентов газа плазмы при заданной температуре и давлении характеризуют состав плазмы. [24]
Концентрация носителей заряда вблизи контактной поверхности полупроводника чрезвычайно велика и во много раз превосходит концентрацию основных носителей в объеме. [25]
 |
Марки и основные характеристики монокристаллов InAs. [26] |
Концентрацию носителей заряда определяют при 77 К. Подвижность носителей заряда для марок ИМЭ должна быть не менее 4 - 104 см. / ( В-с) при 77 К, для остальных марок не ограничивается. [27]
Концентрацию носителей заряда вычисляют по ЭДС Холла при определенной температуре ( например, лри температуре кипения жидкого азота 77 К), а концентрацию ионов примесей - - по значению холловской подвижности носителей заряда при той же температуре. Однако на практике такой способ не распространен вследствие сложности теоретических расчетов, возникающих при учете одновременного действия нескольких механизмов рассеяния. [28]
Однако концентрация носителей заряда в этом случае может оставаться постоянной, если температура еще недостаточна для перехода к собственной концентрации. [29]
Изменение концентрации носителей заряда в приповерхностном слое полупроводника должно приводить к изменению его электропроводности. [30]
Страницы: 1 2 3 4