Концентрация - неосновной носитель - заряд
Cтраница 1
Концентрация неосновных носителей заряда т0 на границе эмиттера одинакова по всей площади перехода, так как она зависит от напряжения на переходе. [1]
Поскольку концентрация неосновных носителей зарядов в полупроводниках меняется с изменением температуры, то ток / нас зависит от температуры. [2]
Если концентрация инжектируемых неосновных носителей заряда возрастает и становится сравнима с концентрацией основных носителей ( это происходит при сильной облученности солнечным светом, превышающей стократную, или при высоком прямом напряжении смещения), то ранее полученное уравнение переноса теряет силу. [3]
Уменьшение концентрации неосновных носителей заряда в области полупроводника, прилегающей к р-п-переходу, при подаче на него внешнего напряжения обратной полярности называется экстракцией. [4]
 |
Транзистор в виде четырехполюсника. [5] |
Распределения концентрации неосновных носителей заряда при этом принимают вид, показанный на рис. 11.76. Токи гэ, гк и г в в этом режиме определяются так же, как и в активном режиме. Нетрудно установить, что инверсный режим работы обратен активному - эмиттер и коллектор меняются ролями. [6]
Так как концентрация неосновных носителей заряда определяется тгпловой генерацией, ток, образованный ими, называют тепловым. Его значение при данной температуре определяется скоростью тепловой генерации носителей заряда. Так как при обратном включении р-п-перехода увеличивается потенциальный барьер, то ширина р-п-перехода / также увеличивается. Это вызывает повышение сопротивления запирающего слоя. Прямое и обратное включение р-и-перехода иногда называют прямым и обратным смещением. [7]
Следовательно, концентрация неосновных носителей заряда на границе перехода экспоненциально зависит от приложенного к переходу напряжения. [8]
Снеосн - термодинамическая концентрация неосновных носителей заряда. [9]
Рассмотрим зависимость концентрации неосновных носителей заряда у границ р - - перехода от внешнего напряжения, приложенного к электронно-дырочному переходу, для частных случаев. [10]
Рассмотрим зависимость концентрации неосновных носителей заряда у границ р-л-перехода от внешнего напряжения, приложенного к электронно-дырочному переходу, для частных случаев. [11]
Таким образом, концентрация неосновных носителей заряда в базе около p - n - перехода имеет постоянную и переменную составляющие. [12]
Таким образом, концентрация неосновных носителей заряда в базе около р-п - переход а имеет постоянную и переменную составляющие. [13]
Величина этого тока определяется концентрацией неосновных носителей заряда в базе и коллекторе и сильно зависит от температуры. [15]
Страницы: 1 2 3 4