Концентрация - неосновной носитель - заряд
Cтраница 2
 |
Статические характеристики транзистора, включенного по. [16] |
Величина этого тока определяется концентрацией неосновных носителей заряда в базе и коллекторе и сильно зависит от температуры. С повышением температуры ток / но возрастает и статические характеристики передвигаются вверх, что приводит к нестабильности работы триода. [17]
Соотношения (2.5) показывают, что концентрация неосновных носителей заряда на границе р-п-перехода, смещенного в обратном направлении, с ростом абсолютного значения обратного напряжения должна очень быстро падать. [18]
Соотношения (2.5) показывают, что концентрация неосновных носителей заряда на границе р - / г-перехода, смещенного в обратном направлении, с ростом абсолютного значения обратного напряжения должна очень быстро падать. [19]
 |
Зависимость граничной концентрации неосновных носителей заряда около р-п-перехода от напряжения, приложенного к р-л-переходу. [20] |
Соотношения (2.5) показывают, что концентрация неосновных носителей заряда на границе р-я-перехода, смещенного в обратном направлении, с ростом абсолютного значения обратного напряжения должна очень быстро падать. [21]
От чего зависит и чем определяется концентрация неосновных носителей заряда на границах р-п-перехода. [22]
От чего зависит и чем определяется концентрация неосновных носителей заряда на границах р-я-перехода. [23]
В направлении от границ обедненного слоя концентрация неосновных носителей заряда возрастает, приближаясь к равновесной. [24]
При приложении U в обратном направлении концентрации неосновных носителей заряда на границах / - области уменьшаются по сравнению с равновесным состоянием. Такой процесс отсоса носителей называется экстракцией. [25]
Таким образом, для определения распределения концентрации неосновных носителей заряда внутри кристаллита требуется решение трехмерного дифференциального уравнения. [26]
Уменьшение толщины базы вызывает увеличение градиента концентрации неосновных носителей заряда базы ( дырок, инжектированных из эмиттера), поэтому скорость прохождения дырками базы увеличивается, а следовательно, растет и ток эмиттера. [27]
Причина этих явлений заключается в сильной зависимости концентрации неосновных носителей заряда от температуры. [28]
В кристаллах с достаточно широкой запрещенной зоной концентрации неосновных носителей заряда пр и рп очень малы, и поэтому диффузионные токи для данного прямого смещения намного меньше, чем в кристалле с относительно небольшой шириной запрещенной зоны. Это означает, что в область пространственного заряда со стороны области / г-типа входит электронный ток больший, чем уходит из этой области со стороны области р-типа. [29]
В кристаллах с достаточно широкой запрещенной зоной концентрации неосновных носителей заряда пр и рп очень малы, и поэтому диффузионные токи для данного прямого смещения намного меньще, чем в кристалле с относительно небольшой шириной запрещенной зоны. Это означает, что в область пространственного заряда со стороны области - типа входит электронный ток больший, чем уходит из этой области со стороны области р-типа. [30]
Страницы: 1 2 3 4