Концентрация - неосновной носитель - заряд
Cтраница 3
Второй член правой части уравнения (1.241) учитывает уменьшение концентрации неосновных носителей заряда в результате процесса рекомбинации. Интенсивность рекомбинации можно считать пропорциональной концентрации неравновесных носителей только в том случае, если время жизни неравновесных носителей ( одинаковое для электронов и дырок) т не зависит от их концентрации. [31]
Данные уравнения устанавливают зависимость токов на электродах транзистора от концентраций неосновных носителей заряда на границах базы. [32]
С ростом температуры увеличивается количество ионизированных атомов основного вещества, концентрация неосновных носителей заряда приближается к концентрации основных носителей и работоспособность транзистора нарушается. [33]
Сопротивление тиристора в это время мало, так как велики концентрации неосновных носителей заряда около / / - л-перехо-дов. [34]
На обратный ток повышение температуры влияет существенно, поскольку он зависит от концентрации неосновных носителей заряда, которая при повышении температуры экспоненциально возрастает. [35]
Диффузия электронов и дырок описывается уравнениями непрерывности, которые выражают условия динамического равновесия концентрации неосновных носителей заряда в полупроводнике. [36]
Рабочие плотности токов всех без исключения транзисторов лежат в диапазоне значений, при которых концентрация неосновных носителей заряда, инжектированных в базу, соизмерима или больше равновесной концентрации основных носителей заряда. [37]
 |
ВАХ одного из германиевых выпрямительных диодов при разных температурах окружающей среды. [38] |
Значительно большая плотность обратного тока в германиевых диодах, так как при прочих равных условиях концентрация неосновных носителей заряда в германии больше на несколько порядков, чем в кремнии. [39]
Таким образом, в области рабочих температур Tt Т Тs в полупроводнике с температурой возрастает концентрация неосновных носителей заряда, что оказывает серьезное влияние на ряд важнейших параметров полупроводниковых приборов. [40]
Таким образом, при включении р - n - перехода в прямом направлении происходит увеличение концентрации неосновных носителей заряда в объеме полупроводника вблизи р - / г-перехода, при включении же в обратном направлении концентрация неосновных носителей уменьшается. [41]
Однако в области истощения примеси всестороннее сжатие может изменить общую концентрацию частиц только на удвоенное изменение концентрации неосновных носителей заряда, поэтому тензосо-противление проявится слабо. В действительности же в целом ряде случаев тензосопротивление проявляется значительно сильнее, что может быть объяснено только сложной структурой зон энергии. [42]
Однако в области истощения примеси всестороннее сжатие может изменить общую концентрацию частиц только на удвоенное изменение концентрации неосновных носителей заряда, поэтому тензо-сопротивление проявится слабо. В действительности же в целом ряде случаев тензосопротивление проявляется значительно сильнее, что может быть объяснено только сложной структурой зон энергии. [43]
Из выражения ( 146) видно, что плотность токов насыщения р - п перехода определяется концентрациями неосновных носителей заряда в соприкасающихся кристаллах. [44]
Страницы: 1 2 3 4