Cтраница 4
Так как в электронном полупроводнике концентрация основных носителей заряда, электронов, может на несколько порядков превосходить концентрацию неосновных носителей зарядов - дырок, то можно заключить, что при создании объемного заряда основную роль будет играть перераспределение электронов, а не перераспределение дырок. [46]
Таким образом, с ростом уровня легирования эффективная собственная концентрация л эф сильно возрастает; резко увеличивается и концентрация неосновных носителей заряда. [47]
Сужение запрещенной зоны учитывается множителем ехр ( Дфо / фт) и показывает, во сколько раз возрастает концентрация неосновных носителей заряда ( дырок) в эмиттере за счет этого эффекта. Во столько же раз возрастет и паразитный ток / Эр, приводящий к уменьшению коэффициента инжекции. [48]
Если эмиттерный переход смещен в прямом направлении и через него течет ток / б, то происходит увеличение концентрации неосновных носителей заряда в области базы. [49]
Для получения хороших выпрямительных свойств желательно уменьшить обратный ток, что достигается очисткой исходного полупроводникового материала с целью снижения концентрации неосновных носителей заряда. Высокая степень чистоты полупроводниковых материалов обеспечивается специальной дорогостоящей технологией. [50]
При высокой облученности ( превышающей 100-кратную) или большом прямом напряжении смещения ( V 0 7Eg / q), когда концентрация неосновных носителей заряда существенно возрастает, необходимо пересмотреть ряд предположений, использованных при расчете JL. [51]