Концентрация - избыточный носитель
Cтраница 1
Концентрации избыточных носителей, накопленных в базах, велики и могут превышать 1017 см-3. При этих условиях необходимо учитывать в общем случае снижение коэффициентов инжек-ции эмиттерных переходов с ростом тока и снижение под-вижностей электронов и дырок из-за их взаимного рас-рассеяния. [1]
Пусть концентрации избыточных носителей п и р велики по сравнению как с Ng, так и с концентрацией термически возбужденных электронов пп. Этот случай в точности совпадает с соответствующей задачей об изоляторе. [2]
Распределение концентрации избыточных носителей, когда оба перехода смещены в прямом направлении. [3]
 |
Структура транзистора, положенного в основу рас. [4] |
Закон изменения концентрации избыточных носителей от эмиттера к коллектору линейный. [5]
Отсюда видно, что концентрации избыточных носителей у границ а и b связаны друг с другом и что избыточная концентрация из-за более высокой концентрации неосновных носителей рп или пр в менее легированной области возрастают быстрее ( ср. [6]
Отсюда видно, что концентрации избыточных носителей у границ а и Ь связаны друг с другом и что избыточная концентрация из-за более высокой концентрации неосновных носителей рп или пр в менее легированной области возрастают быстрее ( ср. [7]
При очень больших токах концентрация избыточных носителей и в - области может значительно препысить равновесную и в этих условиях р ( 0) рр. При этом приложенное напряжение делится между р и - областями и проведенное здесь рассмотрение стапопится, вообще говоря, несправедливым. [8]
Для наглядного изображения изменение концентрации избыточных носителей удобно ввести понятие о квазиуровнях Ферми. Выбитые светом электроны и дырки, имеющие вначале кинетическую энергию, значительно превышающую среднюю энергию электрона в кристалле kT, сталкиваясь с решеткой, быстро отдают ей свою избыточную энергию. [9]
При неизменной интенсивности внешнего агента концентрация избыточных носителей растет вначале быстро, а затем, вследствие непрерывно увеличивающейся скорости рекомбинации, рост замедляется и в конце концов устанавливается стационарное состояние, при котором скорость генерации носителей равна скорости их рекомбинации. Этому состоянию отвечает постоянная концентрация носителей в полупроводнике, равная п для электронов и р для дырок. [10]
На границе ( yd) концентрация избыточных носителей равна нулю. [11]
При неизменной интенсивности внешнего агента концентрация избыточных носителей растет вначале быстро, а затем вследствие увеличивающейся скорости рекомбинации рост замедляется и в конце устанавливается стационарное состояние, при котором скорость генерации носителей равна скорости их рекомбинации. [12]
Экспериментальные данные [76] по влиянию концентрации избыточных носителей на цн указывают на зеркальный характер рассеяния на поверхности. Дополнительное подтверждение этого было получено из температурной зависимости подвижности. [13]
Выражение (2.35) определяет закон убывания концентрации избыточных носителей заряда вдоль полупроводника в стационарных условиях. [14]
Это выражение описывает временную зависимость концентрации избыточных носителей тока после выключения источника света. [15]
Страницы: 1 2 3 4