Концентрация - избыточный носитель
Cтраница 4
Во многих случаях число центров рекомбинации, обычно не превышающее в Ge и Si 1012 см-3, мало по сравнению с концентрацией избыточных носителей. [46]
Из (6.53) и (6.54) видно, что квазиуровни Ферми для элетронов и дырок тем сильнее отличаются друг от друга и от равновесного уровня Ферми, чем выше концентрация избыточных носителей. [47]
Тогда понятие среднего времени жизни уже не может быть введено по определению времени, за которое избыточная концентрация спадает в е раз, так как нет экспоненциального закона релаксации концентрации избыточных носителей заряда. Введем в этом случае понятие времени жизни т, пользуясь вероятностной интерпретацией величины 1 / т как вероятности рекомбинации одного электрона в единицу времени, в единице объема. [48]
Определяя изменение концентрации избыточных неосновных носителей тока вдоль нитевидного образца, в который инжектируется постоянное число неосновных носителей тока, можно измерить диффузионную длину Ln или Lp, так как концентрация избыточных носителей тока в стационарных условиях меняется, как ехр [ - x / Lp ], где х - расстояние от точки инжекции. При этом предполагается, что поверхностная рекомбинация не влияет существенным образом на величину времени жизни нитевидного образца ( см. гл. Чтобы убедиться, что это так, следует повторить измерения на образцах другой толщины и, если необходимо, внести соответствующие поправки, связанные с поверхностной рекомбинацией, так, как это рекомендуется в гл. [49]
 |
Зависимость времени жизни от концентраций донорных и акцепторных примесей ( а и удельного сопротивления ( б. [50] |
Выражения ( 1 - 60) позволяют оценить зависимость времени жизни избыточных носителей т от таких важных факторов, как концентрация примесей ( или удельное сопротивление материала), температура и концентрация избыточных носителей. Предположим для определенности, что уровни ловушек расположены в верхней половине запрещенной зоны на расстоянии нескольких фг от ее середины. [51]
 |
Зависимость времени жизни от концентраций донорных и акцепторных примесей ( а и удельного сопротивления ( б. [52] |
Выражения ( 1 - 60) позволяют оценить зависимость времени жизни избыточных носителей т от таких важных факторов, как концентрация примесей ( или удельное сопротивление материала), температура и концентрация избыточных носителей. Предположим для определенности, что уровни ловушек расположены в верхней половине запрещенной зоны на расстоянии нескольких ф т от ее середины. [53]
 |
Рекомбинация электронно-дырочной пары. / - равновесный свободный электрон, 2 - избыточный свободный электрон, 3 - зона проводимости, 4 - донорный уровень, 5 - валентная зона. [54] |
Уменьшение начальной концентрации избыточных носителей заряда Апнач ( после отключения источника их генерации, например облучения) происходит по экспоненциальному закону: An ( t) Дл, ехр ( - f / r), т.е. за интервал времени г концентрация избыточных носителей уменьшается в е 2 718 раз. Некоторые примеси ( золото, платина, медь и др.) создают локальные энергетические уровни в середине запрещенной зоны, называемые ловушками ( рис. 7, б), значительно ускоряющие процесс рекомбинации и уменьшающие время жизни. Легирование золотом используют для уменьшения времени жизни в кремнии. [55]
 |
Выходные характеристики и линия нагрузки транзистора.| Распределение неосновных носителей в базе транзистора, работающего в режиме насыщения. [56] |
Режим насыщения характеризуется тем, что оба перехода, эмиттерный и коллекторный, смещены в прямом направлении. Концентрации избыточных носителей в базе повышены по сравнению с активным режимом. Распределение неосновных носителей в базе р-п - р структуры, работающей в режиме насыщения, представлено на рис. 4.21. Пунктирной линией показано распределение дырок при работе структуры в активном режиме, когда через цепь коллектора протекает тот же ток, что и в режиме насыщения. Действительно, в обоих случаях имеется одинаковый градиент концентрации дырок, обеспечивающий одинаковый диффузионный ток. [57]
Рассмотрим случай, когда d мало по сравнению с L и Ьв. Ls, то концентрация избыточных носителей по слою практически не меняется и равна Ага. [58]
Конечно, времена жизни при малом отклонении от равновесия т и при большом отклонении т, различны. Обычно с ростом концентрации избыточных носителей t убывает. [59]
Страницы: 1 2 3 4