Концентрация - избыточный носитель
Cтраница 3
Скорость рекомбинации в этом случае является уже квадратичной функцией от концентрации избыточных носителей, а время жизни - обратно пропорционально этой концентрации. Такая рекомбинация называется часто квадратичной. [31]
Дело в том, что в толстом re - слое концентрация избыточных носителей спадала экспоненциально и значение dp / dx у границы р - и-перехода равнялось Ap / Lp. [32]
Уравнения (6.92) и (6.93) легко обобщаются на трехмерный случай, когда концентрация избыточных носителей зависит от всех трех координат и электрическое поле имеет все три компоненты. [33]
Для элементарного акта такого процесса скорость генерации не должна зависеть от концентрации избыточных носителей заряда, а скорость рекомбинации пропорциональна ( в невырожденном полупроводнике) произведению пр. Таким образом, здесь имеем условия, аналогичные тем, которые рассматривались и при излучательной рекомбинации. [34]
Смысл диффузионной длины ясен из предыдущего: это расстояние, на протяжении которого концентрация избыточных носителей уменьшается в е раз. Или иначе - это среднее расстояние, на которое диффундирует носитель за время своей жизни. [35]
Поскольку величина электростатического потенциала неодинакова по всей толщине слоя пространственного заряда, то концентрации избыточных носителей заряда - электронов и дырок - не равны между собой. Следовательно, скорости поверхностной рекомбинации для электронов и дырок различны. [36]
 |
Схематическая диаграмма энергетических зон турбослойных и графитизированных углей. [37] |
Увеличение кристаллитов приводит к понижению относительного числа периферийных ловушек; результатом является уменьшение концентрации избыточных носителей. Вследствие этого мы ожидаем сильного повышения уровня Ферми переходных углеродов относительно нижней я-зоны во всем структурном интервале от аморфных углей до поликристаллических графитов. [38]
Характерной особенностью рассмотренных выше явлений ударной ионизации и межзонного туннелирования является резкая зависимость концентрации избыточных носителей заряда от напряженности электрического поля. В туннельных и лавинно-пролет-ных диодах эти носители выводятся из полупроводника приложенным полем и дают приращение тока во внешней цепи. В системах же МДП с достаточно толстым диэлектриком сквозной ток заблокирован большим сопротивлением диэлектрика, а генерируемые неосновные носители заряда подводятся к поверхности и, оставаясь в ОПЗ полупроводника, экранируют приложенное внешнее поле. В результате напряженность электрического поля в ОПЗ Ss не может превысить некоторую критическую величину SKp, соответствующую началу включения упомянутых выше полевых генерационных механизмов. [39]
Рассмотрим теперь, как после выключения источника генерации уменьшается со временем первоначально равномерная по объему концентрация избыточных носителей тока. [40]
Скорость поверхностной рекомбинации - отношение плотности потока носителей заряда, рекомбинировавших на поверхности полупроводника, к концентрации избыточных носителей у поверхности. [41]
В отличие от диода, для которого концентрация избыточных носителей в толще базы равна нулю, концентрация избыточных носителей в широкой базе тиристора вблизи среднего р-п перехода отлична от нуля. [42]
 |
Схема образования быстрых и медленных состояний на поверхности полупроводника.| Зависимость скорости поверхностной рекомбинации от поверхностного потенциала ф. [43] |
Следовательно, скорость поверхностной рекомбинации определяется отношением количества актов рекомбинации на единицу поверхности в единицу времени к концентрации избыточных носителей. Введение скорости поверхностной рекомбинации позволяет более удобно описывать процессы, связанные с поверхностной рекомбинацией. [44]
Примером уравнения параболического вида в более общем случае может служить известное из физики полупроводников уравнение непрерывности, которое описывает процесс изменения концентрации избыточных носителей. [45]
Страницы: 1 2 3 4