Концентрация - избыточный носитель
Cтраница 2
Ланзы и Ховела; б - концентрация избыточных носителей заряда в зависимости от положения в зерне GaAs толщиной 10 мкм, она стремится к нулю на краю обедненной области перехода [ Lama. [17]
В отличие от диода, для которого концентрация избыточных носителей в толще базы равна нулю, концентрация избыточных носителей в широкой базе тиристора вблизи среднего р-п перехода отлична от нуля. [18]
Окончание этапа рассасывания характеризуется тем, что концентрация избыточных носителей на коллекторной границе базы падает до нуля, на коллекторном переходе восстанавливается обратное напряжение, а ток коллектора начинает уменьшаться. [19]
В отличие от диода, для которого концентрация избыточных носителей в толще базы равна нулю, концентрация избыточных носителей в широкой базе тиристора вблизи среднего р-п перехода отлична от нуля. [20]
 |
Инерционность фоторезистора при мгновенном включении и выключении светового потока. [21] |
Это объясняется конечным временем нарастания и спада концентрации избыточных носителей, которое определяется временем жизни неосновных носителей в данном полупроводниковом материале. В свою очередь время жизни неосновных носителей связано с наличием большого количества ловушек в поликристаллическом полупроводнике. Ловушки захватывают носители тока при включении света и освобождают их после выключения. [22]
Это обусловливается тем, что с ростом концентрации избыточных носителей заряда рекомбинационные центры насыщаются, время жизни носителей и, следовательно, коэффициент передачи тока через базу транзистора возрастает. [23]
 |
Неодномерная модель тиристора, используемая для анализа процессов запирания. - - - - - - - - - линии тока управления при t0. - - - - - - - - линии тока управления при. [24] |
Кроме того на рис. 2.35 6 показано распределение концентрации избыточных носителей около границ переходов для этих же моментов времени. [25]
 |
Схематическое изображение распределения избыточных носителей заряда в различные моменты времени выключения структуры. - в момент t0. 2 - ti. 3 - ty, 4 - t. 5 - tt, 6 - t1. [26] |
Ток управления уменьшает время, необходимое для снижения концентрации избыточных носителей в р-базе у перехода j до нуля, и тем самым сокращает время первого этапа. [27]
Для того чтобы тиристор перевести в запертое состояние, концентрация избыточных носителей зарядов в базовых областях должна быть уменьшена до весьма малой величины за счет действия электрического поля и процесса рекомбинации. Это может быть достигнуто, если на определенное время уменьшить ток в тиристоре до значений, меньших удерживающего тока / уд, или изменить на обратную полярность напряжения, действующего на тиристоре. [28]
 |
Возбуждение фотоносителей из валентной зоны и примесных уровней ( а. спектральное распределение фотопроводимости ( б. [29] |
Вследствие же рекомбинации, скорость которой растет с ростом концентрации избыточных носителей, в полупроводнике устанавливается стационарное состояние, при котором скорости генерации и рекомбинации уравновешивают друг друга. [30]
Страницы: 1 2 3 4