Концентрация - основной носитель
Cтраница 1
 |
Полупроводниковый диод. [1] |
Концентрация основных носителей в слоях р и п обозначена через рр и п, а пр и рп - концентрации неосновных носителей в тех же слоях. В германиевых и кремниевых диодах создается такая высокая концентрация основных носителей, что концентра-ция неосновных носителей в соответствии с выражением (1.13) срав нительно мала. На металлургической границе раздела слоев АВ возникает в этом случае большая разность концентраций зарядов одного и того же знака. В одном слое они являются основными, а в другом - неосновными носителями. [2]
Концентрация основных носителей в эмиттерной области на 2 - 3 порядка выше, чем в базе, поэтому инжекция дырок в базу / эр превышает поток электронов / эп из базы в эмиттер. При этом через эмиттерный переход проходит суммарный ток эмиттера / э / Эр / эп. Убыль дырок в эмиттере компенсируется уходом из него во внешнюю цепь такого же количества электронов. [3]
Концентрация основных носителей заряда р-области рр 1017 см-3, n - области пта101в см-3, значение приложенного напряжения ( 7Пр0 25 В, коэффициенты диффузии Dn 93 см2 / с, Dp44 см2 / с, диффузионные длины носителей заряда Ln0 l CM, Lp0 07 см, время жизни носителей заряда т10 мкс. [4]
Концентрацию основных носителей в области коллектора обычно делают несколько меньшей, чем в области эмиттера. [5]
Если концентрация основных носителей в эмиттерной и базовой областях была бы одинакова, то эмиттерный ток состоял бы наполовину из электронов, инжектированных из базы в эмиттер, наполовину из дырок, инжектированных из эмиттера в базу. [6]
Если концентрация основных носителей в одной области много больше, чем в другой, то ток через переход будет в основном являться потоком тех носителей, концентрация которых больше. Например, если концентрация дырок в р-области ( рр) больше концентрации электронов в n - области ( пп), то при приложении к переходу прямого напряжения через него будет протекать в основном дырочный ток, обусловленный переходом дырок из р-области в n - область. Такой переход называют эмиттером дырок. Возможен и другой случай, когда п рр, в этом случае переход будет эмиттером электронов. [7]
 |
Концентрация примесей при ступенчатом ( а и плавном ( б. [8] |
Если концентрации основных носителей в дырочной н электронной областях равны, то переход называют симметричным. [9]
 |
Энергетическая диаграмма р - 1 перехода при равновесии ( а и концентрация подвижных носителей зарядов ( б.| Несимметричный р-п переход. [10] |
Если концентрации основных носителей отличаются более чем на порядок, то такой переход называют односторонним. [11]
Различнее концентрации основных носителей зарядов сказывается и на расположении p - n - перехода на границе полупроводниковых областей с различным типом электропроводности. [12]
Повышение концентрации основных носителей ( например, электронов в полупроводнике я - типа) обычно довольно сложно контролировать. [13]
Неравенство концентраций основных носителей приведет к тому, что сечение, в котором концентрации электронов и дырок выравниваются ( п - р ni), оказывается смещенным в область более низкой концентрации примесей. [14]
 |
Диаграммы положения границ зон и прохождения носителей заряда в структуре р-п-р-п. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5