Концентрация - основной носитель
Cтраница 4
База должна иметь концентрацию основных носителей много меньшей концентрации их в обла - 4.2. Распределение токов в сти эмиттера. [46]
При малом уровне инжекции концентрация основных носителей практически соответствует их концентрации в состоянии теплового равновесия. [47]
В диодах этого типа концентрация основных носителей в п - и рюбла-стях очень велика. [48]
 |
Ток в полупроводниках с электронной ( а и дырочной ( б электропроводностью. [49] |
Но в результате этого концентрация основных носителей возрастает в 1000 раз и соответственно увеличивается проводимость. [50]
В этом диапазоне температур концентрация основных носителей не зависит от температуры. [51]
В этом диапазоне температур концентрация основных носителей не зависит от температуры. [52]
В качестве параметра использована концентрация основных носителей заряда, электронов или дырок. [53]
 |
Зависимость удельной электропроводности от обратной температуры в п - и р-кремнии. [54] |
В области истощения примеси концентрация основных носителей заряда остается постоянной, и проводимость при изменении температуры меняется только вследствие изменения подвижности. В зависимости от концентрации примеси подвижность может уменьшаться или увеличиваться, что приводит соответственно к уменьшению или увеличению проводимости. На рис. 85 в качестве примера приведен график зависимости а ( Т) при разной концентрации донорной и акцепторной примеси в кремнии. [55]
 |
Зависимость подвижности электронов и дырок от концентрации примеси в кремнии при Г ЗООК.| Зависимость удельной элек. [56] |
В области истощения примеси концентрация основных носителей заряда остается постоянной, и проводимость при изменении температуры меняется только вследствие изменения подвижности. В зависимости от концентрации примеси подвижность может уменьшаться или увеличиваться, что приводит соответственно к уменьшению или увеличению проводимости. [57]
Если же изменять соотношение концентраций основных носителей в базе и коллекторе в сторону условия рк б, то ГбД уменьшается. [58]
Компенсация происходит благодаря возрастанию концентрации основных носителей у этого перехода. Если основных носителей в области баз п и р2 при данной эффективности эмиттера поступает больше, чем неосновных, и больше, чем это необходимо для рекомбинации с неосновными носителями, то в базовых областях возникает избыток носителей. Такое положение создается тогда, когда сумма электронного и дырочного токов, собираемых коллектором / 2, кратковременно превышает ток через эмиттерные переходы. Поскольку ток неосновных носителей, собираемых переходом / 2, определяется смещением эмиттера, ясно, что управление переключением можно осуществить введением третьего электрода. [59]
Заметим, что возрастание концентрации основных носителей на 10 % сопровождается возрастанием концентрации неосновных носителей на несколько порядков. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5