Концентрация - основной носитель
Cтраница 2
Повышение концентрации основных носителей в средней р-области приводит к понижению высоты правого р-п перехода и инжекции электронов из правой п-области 0 в среднюю р-область. Электроны проходят среднюю р-область и уходят через потенциальный барьер в среднюю n - область. Часть из них реком-бинирует в р-области. Условие равновесия и электрической нейтральности требует, чтобы число дырок, вошедших в р-область, было равно числу электронов, рекомбинировав-ших при движении через р-область. [16]
Чем определяется концентрация основных носителей заряда в примесных полупроводниках. [17]
Сосн - термодинамическая концентрация основных носителей заряда в объеме кристалла. [18]
По соотношению концентраций основных носителей в слоях р и п переходы делятся на симметричные и несимметричные. [19]
 |
Зависимость электропроводности невырожденного полупроводника n - типа от температуры и концентрации доноровNa ( Ndl Nd2 Nd3. [20] |
Температурная зависимость концентрации основных носителей в легированном полупроводнике зависит от ионизации примеси и представлена на рис. 3.23 для полупроводника п-ти-па. Аналогичные зависимости наблюдаются и для дырок в полупроводниках р-типа. [21]
При увеличении концентрации основных носителей обратный ток р-п перехода уменьшается. [22]
 |
Распределение полных и эффективных концентраций примеси вблизи металлургической границы плавного перехода. [23] |
По соотношению концентраций основных носителей в слоях pun переходы делятся на симметричные и несимметричные. [24]
По соотношению концентраций основных носителей заряда или соответствующих примесей в р - и n - областях различают симметричные и несимметричные p - n - переходы. В полупроводниковых приборах обычно существуют несимметричные p - n - переходы. [25]
При увеличении концентрации основных носителей заряда в полупроводнике скорость поверхностной рекомбинации сначала увеличивается, а затем остается постоянной и примерно равной скорости тепловой рекомбинации. Увеличение концентрации носителей заряда вблизи поверхности кремния приводит к постепенной нейтрализации ловушек поверхностной рекомбинации и соответственно к уменьшению скорости поверхностной рекомбинации. [27]
По соотношению концентраций основных носителей заряда или соответствующих примесей в р - и - областях различают симметричные и несимметричные р-ге-переходы. В полупроводниковых приборах обычно существуют несимметричные p - n - переходы. [28]
Изменение соотношений концентрации основных носителей зарядов в р - и n - областях, конечно, не меняет сущности процессов, происходящих в переходе, но их характер становится иным. [29]
По соотношению концентраций основных носителей заряда или соответствующих примесей в р - и га-областях различают симметричные и несимметричные p - n - переходы. Для несимметричных р-п-переходов справедливо неравенство рро п о ( или гап0 рро) - В полупроводниковых приборах обычно существуют несимметричные р-га-переходы. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5