Концентрация - основной носитель
Cтраница 3
 |
Распределение концентрации носителей в бездрейфовом ( а и дрейфовом ( б транзисторах и распределение токов в электродах транзисто - Ра ( в. [31] |
Для эффективного усиления концентрация основных носителей в базе должна быть гораздо меньше их концентрации в коллекторе, а толщина базы должна быть много меньше диффузионной длины инжектируемых в нее носителей. [32]
В отличие от концентрации основных носителей концентрация неосновных носителей в области 2 резко увеличивается с ростом температуры. Действительно, в соответствии с (1.3) равновесная концентрация неосновных носителей - дырок в электронном полупроводнике pnon-f / nno, где п 0 - равновесная концентрация электронов в электронном полупроводнике. [33]
 |
Электропроводность полупроводника - типа.| Электропроводность полупроводника р-типа. [34] |
В примесных полупроводниках концентрация основных носителей заряда определяется концентрацией введенной примеси. Процесс введения примеси в полупроводник называют легированием, а сами примеси - легирующими. [35]
В приконтактном слое концентрация основных носителей заряда уменьшается по сравнению с концентрацией основных носителей в остальной толще полупроводника. Обедненный носителями слой между двумя областями полупроводника с разным типом электропроводности обладает меньшей электропроводностью и его иначе называют запирающим слоем. [36]
В примесных полупроводниках концентрация неравновесных основных носителей заряда, как правило, меньше концентрации равновесных основных носителей, а концентрация неравновесных неосновных носителей соизмерима с концентрацией равновесных неосновных носителей. [37]
При этих предположениях концентрации основных носителей - электронов в n - области пп и дырок в р-об-ласти рр - практически равны концентрациям доноров Na и акцепторов Na. [38]
 |
Картина прохождения тока базы ( а. распределение потенциала в базе фБ и плотности инжекционного тока эмиттера JQP при некотором напряжении ( / ЭБ между выводами эмиттера и базы ( б. [39] |
В результате изменения концентрации основных носителей, связанного с условием электрической нейтральности, с одной стороны, растет инжекция носителей из базы в эмиттер ( ток / Эя), а с другой - уменьшается удельное сопротивление материала базы. [40]
Хотя с ростом концентрации основных носителей проводимость базы возрастает, по электронный ток jn3, протекающий через базу, растет быстрее. [41]
 |
Картина прохождения тока базы ( а. распределение потенциала в базе ФБ и плотности инспекционного тока эмитте. [42] |
В результате изменения концентрации основных носителей, связанного с условием электрической нейтральности, с одной стороны, растет инжекция носителей из базы в эмиттер ( ток / эп), а с другой - уменьшается удельное сопротивление материала базы. [43]
В результате изменения концентрации основных носителей, связанного с условием электрической нейтральности, с одной стороны, растет инжекция носителей из базы в эмиттер ( ток / эл), а с другой - уменьшается удельное сопротивление материала базы. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5